[发明专利]用于在RF环境中的装置的控制架构有效
申请号: | 201580001480.6 | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN107041167B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | P·克里米诺儿;S·E·巴巴扬;D·A·马洛尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H04L25/49 | 分类号: | H04L25/49;H04Q11/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 rf 环境 中的 装置 控制 架构 | ||
一种系统包括用于生成命令的处理装置,所述命令具有在传导性通信链路上可传输的第一格式。所述系统进一步包括耦接至所述处理装置的第一转换器,用于接收所述命令并将所述命令转换为在非传导性通信链路上可传输的第二格式。所述系统进一步包括第二转换器,所述第二转换器配置成用于在破坏性射频(RF)环境中操作,所述第二转换器用于接收所述命令并将所述命令往回转换为在传导性通信链路上可传输的格式,随后将所述命令传送至脉冲宽度调制(PWM)电路。所述PWM电路耦接至所述第二转换器,并且配置成用于在所述破坏性RF环境中操作,所述PWM电路用于基于所述命令来调整用于控制将在所述破坏性RF环境中操作的一个或多个组件的设置。
技术领域
本文所描述的实施方式总体上涉及半导体制造,更特定地涉及控制在能够破坏电子与电气部件的破坏性射频(RF)环境(也称为RF热环境)中操作的装置。
背景技术
用于制造半导体器件、光电器件、显示器等的许多工艺是在能够破坏电子部件的破坏性RF环境中执行的。传统意义上而言,控制工艺的电气部件位于破坏性RF环境的外部,并且RF过滤器设置在这些电气部件与进入RF环境的线路之间。然而,这导致对于每一个电气部件都存在一个单独的过滤器(例如,用于接通(switch on)和断开(switch off)设置在破坏性RF环境内的加热组件的每一个开关的单独的过滤器)。随着用于控制在破坏性环境内的组件的电气部件的数量增加,过滤器的数量也同样地增加。此类过滤器一般是昂贵且大型的。
发明内容
在一个实施例中,系统包括处理装置以及耦接至所述处理装置的第一转换器。所述系统进一步包括第二转换器以及耦接至所述第二转换器的脉冲宽度调制(PWM)电路,其中,所述第二转换器和所述PWM电路在破坏性射频(RF)环境中操作。所述处理装置配置成用于生成命令,所述命令具有在传导性通信链路上可传输的第一格式。所述第一转换器配置成用于接收所述命令,并且将所述命令转换为在非传导性通信链路上可传输的第二格式。所述第二转换器配置成用于接收所述命令,并将所述命令往回转换为在传导性通信链路上可传输的格式,随后将所述命令传送至所述PWM电路。所述PWM电路配置成用于基于所述命令来调整用于控制将在所述破坏性RF环境中操作的一个或多个组件的设置。
在一个实施例中,一种控制在射频环境中操作的组件的方法包括以下步骤:在处理装置处生成一命令,所述命令具有在传导性通信链路上可传输的第一格式。所述方法进一步包括以下步骤:由耦接至所述处理装置的第一转换器将所述命令从所述第一格式转换为在非传导性通信链路上可传输的第二格式。所述方法进一步包括以下步骤:在所述非传导性通信链路上将所述命令传送至第二转换器。所述命令进一步包括以下步骤:由在所述破坏性RF环境中操作的第二转换器将所述命令往回转换为在传导性通信链路上可传输的格式。所述方法进一步包括以下步骤:将所述命令传送至在所述破坏性RF环境中操作的脉冲宽度调制(PWM)电路以调整所述PWM的设置,所述PWM的设置用于控制在所述破坏性RF环境中操作的一个或多个组件。
附图说明
在所附附图的各图中以示例方式而非限制方式示出本发明,在所附附图中,同样的组件符号指示类似的组件。应注意的是,在说明书中对于“一”或“一个”实施例的不同引用不一定是指相同的实施例,并且此类引用意味着至少一个实施例。
图1是处理腔室的截面示意侧视图,所述处理腔室具有用于RF环境中的装置的联合的过滤器布置以及RF环境中的装置的控制架构的一个实施例;
图2是根据一个实施例的切换(switching)系统的框图,所述切换系统包括用于RF环境中的装置的联合的过滤器布置;
图3是根据一个实施例的、用于RF环境中的装置的控制架构的框图;
图4是根据一个实施例的、用于RF环境中的装置的另一控制架构的框图;
图5是根据一个实施例的基板支撑组件的截面示意侧视图;
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