[发明专利]薄膜晶体管装置、显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管装置，其特征在于，在一个像素区域中，包括：

设置有栅极、垫区域、行线的第一导电层；

覆盖该栅极的第一介电层，所述垫区域的连接垫从该第一介电层暴露；

设置在该第一介电层上且与该栅极重叠的半导体层；

所述半导体层包括第一半导体区域以及第二半导体区域；

设置在该半导体层及该第一介电层上的第二介电层；

所述第二介电层包括在第二介电层中以到达第一半导体区域的第一开口及第二开口，及均在第一及第二介电层中以分别到达垫区域及所述像素区域行线的第三及第四开口，及在第二介电层中以到达第二半导体区域的第五开口及第六开口，第一开口及第二开口暴露第一半导体区域的多个表面，第三开口暴露所述垫区域的一个表面，第四开口暴露所述行线的一个表面，第五开口以及第六开口暴露所述第二半导体区域的多个表面；

包括列线、垫区域、以及像素电极部的第二导电层；

所述列线覆盖所述第一开口并连接所述第一半导体区域；

所述第二导电层的垫区域覆盖所述第二开口及第三开口并连接所述第一半导体区域及第一导电层的垫区域；

所述第二导电层的垫区域与所述行线的一部分重叠以形成电容；

所述第二导电层的垫区域覆盖所述第四开口及第五开口，并连接所述行线和第二半导体区域；

所述第二导电层的垫区域覆盖第六开口并延伸至所述像素电极部。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该第二导电层包括透明导体。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该透明导体包括至少一种金属氧化物。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该至少一种金属氧化物包括In、Zn、Sn、Ga、Al、As、Cd、Hg、Ti、Pb、Ag、Au、Ge、Sb、Bi、Hf或Zr的氧化物。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该第二导电层还包括一种金属。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，还包括设置在该第二导电层上的第三导电层，该第三导电层与该第二导电层对准。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该第三导电层与该第二导电层一一对应地对准。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该第二导电层包括反射材料，及该第三导电层包括透明材料。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管装置，其特征在于，该第一导电层还包括电容的第一电极；及

该第二导电层还包括该电容的第二电极，该第二电极与该第一电极相背，该第二电极及该第一电极夹着该第一介电层和该第二介电层中的至少一个。