[发明专利]薄膜晶体管装置、显示器及其制造方法

说明书

一种薄膜晶体管(TFT)装置(200)，显示器及薄膜晶体管装置(200)的制造方法。该TFT装置(200)包括第一导电层(204)，其包括栅极(204a)及连接垫(204b)。该TFT装置还包括覆盖该栅极(204a)的第一介电层(206)。该连接垫(204b)从该第一介电层(206)暴露。该TFT装置(200)还包括设置在该第一介电层(206)上且与该栅极(204a)重叠的半导体层(208)。该TFT装置(200)还包括设置在该半导体层(208)及该第一介电层(206)上以暴露该半导体层(208)的第一部分及第二部分及该连接垫(204b)的第二介电层(210)。该TFT装置(200)还包括第二导电层(212)，其包括覆盖该半导体层(208)的该第一部分的源极部(212b)、延伸至该源极部(212b)的像素电极部(212a)、覆盖该半导体层(208)的该第二部分的漏极部(212c)及设置在该连接垫(204b)上并延伸至该漏极部(212c)的互连部(212d)。

相关申请的交叉引用

本发明请求在美国专利和商标局于2014年8月24日申请的，题为“薄膜晶体管及其制造方法”，申请号为62/041,129的临时申请的优先权和权益，及在美国专利和商标局于2015年1月9日申请的，题为“薄膜晶体管、显示器及其制造方法”，申请号为14/593,812的专利申请的优先权和权益，并且通过参照将其全文并入此处。

技术领域

本发明涉及一种晶体管，特别地，涉及一种薄膜晶体管装置及其在显示器的应用，及其制造方法。

背景技术

应用在如电视、监视器、手提电话、智能电话、个人数字助理(PDA)等的平板显示器已出现在市场上。特别地，因其具有大尺寸及高分辨率的优点，主动矩阵式平板显示器(active matrix flat panel display)被应用于大尺寸电视及高分辨率的手提装置。

主动矩阵式平板显示器通常包括用于控制光发射装置的薄膜晶体管(TFT)阵列。作为示例的一个TFT装置100展示在图1中。请参图1，TFT装置100包括基底102、位于基底102上的栅极104、位于基底102及栅极104上的介电层106、位于介电层106上的半导体层108、位于半导体层108上的刻蚀阻挡层(etching stop)110、位于半导体层108一侧且与半导体层108接触的漏极112、位于半导体层108另一侧且与半导体层108接触的源极114、位于上述层顶部的钝化层116、形成在钝化层116中并到达源极114的第一接触孔118、形成在钝化层116中并到达漏极112的第二接触孔120、位于第一接触孔118内的像素电极122及位于第二接触孔120内的数据电极124。

为形成图1所示的TFT装置，至少需6个光罩来完成整个器件的图案化。特别地，栅极104、半导体层108、刻蚀阻挡层110、源极114及漏极112、接触孔118、120及像素电极122及数据电极124各需要一个光罩。

刻蚀阻挡层110的引入是为了保护半导体层108，在形成源极114及漏极112的图案化及刻蚀步骤中，防止被刻蚀剂破坏。这种结构需要额外的光罩来图案化刻蚀阻挡层110本身，如此增加制造成本及降低了处理能力。进一步地，钝化层116的引入是为了保护下面的装置层104至114免受环境影响。

因此，有必要减少引入到制造TFT装置的光罩的数量，以增加制造能力及降低成本。

发明内容

为此，本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)装置。