[发明专利]阻挡膜及制备该阻挡膜的方法有效

专利信息
申请号: 201580002215.X 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN105636774B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 黄樯渊;金东烈 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: B32B7/04 分类号: B32B7/04;B32B9/00;B32B27/06
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司11225 代理人: 张皓,徐琳
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 阻挡 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种阻挡膜,其依序包括基底层、无机层和树脂层,并包括存在于所述基底层与所述无机层之间的第一介电层和存在于所述无机层与所述树脂层之间的第二介电层,以及满足以下表达式1或表达式2:

[表达式1]

np≤ns≤n1<ni

[表达式2]

np≤ns≤n2<ni

在表达式1和表达式2中,np为所述树脂层的折射率,ns为所述基底层的折射率,n1为所述第一介电层的折射率,n2为所述第二介电层的折射率,以及ni为所述无机层的折射率,以及

其中,当n1大于n2(n1>n2)时,所述第一介电层具有小于450nm的厚度,以及当n2大于n1(n2>n1)时,所述第二介电层具有小于450nm的厚度。

2.权利要求1所述的阻挡膜,其满足表达式1和表达式2。

3.权利要求1所述的阻挡膜,其中,当n1等于或大于n2(n1≥n2)时,d1等于或小于d2(d1≤d2),以及当n2等于或大于n1(n2≥n1)时,d2等于或小于d1(d2≤d1),其中d1为所述第一介电层的厚度,以及d2为所述第二介电层的厚度。

4.权利要求1所述的阻挡膜,其满足表达式1和表达式2,其中,当n1等于或大于n2(n1≥n2)时,所述第一介电层具有等于或大于100nm且小于450nm的厚度,以及当n2等于或大于n1(n2≥n1)时,所述第二介电层具有等于或大于100nm且小于450nm的厚度。

5.权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第一介电层的折射率n1或所述第二介电层的折射率n2在1.35至1.9的范围内。

6.权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述树脂层的折射率np在1.4至1.7的范围内。

7.权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述基底层的折射率ns在1.45至1.78的范围内。

8.权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述无机层的折射率ni为1.65以上。

9.权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第一介电层的折射率n1和所述无机层的折射率ni满足以下表达式3:

[表达式3]

0.3≤(n1-1)/(ni-1)≤0.95。

10.权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第二介电层的折射率n2和所述无机层的折射率ni满足以下表达式6:

[表达式6]

0.3≤(n2-1)/(ni-1)≤0.95。

11.权利要求1所述的阻挡膜,其中,根据ASTM E313的黄度指数在-2.5至2.5的范围内。

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