[发明专利]高耐热性聚倍半硅氧烷类感光性树脂组合物

说明书

本发明涉及液晶显示装置或有机电致发光显示装置用高耐热性倍半硅氧烷(Silsesquioxane)类感光性树脂组合物及由其制备而成的正性光致抗蚀剂绝缘膜，详细地涉及高耐热性，低介电特性的倍半硅氧烷感光性树脂组合物，可用于形成薄膜晶体管(TFT)的导通孔(via hole)的绝缘膜，并且同时可用作用于区别形成有机电致发光显示装置的像素的分区(bank)图案的绝缘膜。

技术领域

本发明涉及高耐热性正性光致抗蚀剂组合物。本发明更详细地涉及高耐热性正性光致抗蚀剂组合物，可同时用作液晶显示装置用导通孔(via hole)绝缘膜及有机电致发光显示装置的分区图案形成用绝缘膜。

背景技术

近来，随着液晶显示装置或有机电致发光显示装置的大面积化、高亮度化、高解析度化技术发展，对需要衬托这些的高性能材料的需求日益增多。由此，液晶显示装置或有机电致发光显示装置的设备结构也越来越变得复杂。因此，作为绝缘膜和分区材料，优选地，使用用于形成更加细微的图案的高解析度材料，上述绝缘膜用作在用于驱动信号的超薄膜晶体管(TFT)中形成导通孔，上述区分材料用于形成有机电致发光显示装置的像素。

在上述显示装置的制造工序中，用于形成上述结构要素的图案的形成工序的普通的方法为通过光刻工序(Photolithography)来形成的方法。为了通过这些光刻工序来形成微细图案，通常利用抗蚀剂组合物。

这种抗蚀剂组合物可利用光刻工序来加工导通孔或形成分区图案，此时，为了取得高解析度的图案，需要可在稀的碱性显像液中容易地显像，并可通过固化工序形成分子间交联结合，才可取得耐化学性、耐热性及后工序可靠性。

以往的绝缘膜用正性光致抗蚀剂主要使用由丙烯酸类粘结剂与萘醌二叠氮基化合物组合而成的材料(日本特许公开平10-153854公报)等，然而现实情况为，因耐热性明显不足，因此无法承受高温的氧化铟锡(ITO)热处理工序，从而仅可适用于利用非晶氧化铟锡的工序中。

当前，因耐热性不足，因此无法适用于近来作为有机电致发光显示装置用底板而备受瞩目的低温聚硅(LTPS，Low-Temperature Poly Silicone)工序中。另一方面，存在如下问题：对聚酰胺类粘结剂与萘醌二叠氮基化合物进行组合的材料(PCT/JP2002/01517)的后工序可靠性高，因此适合于用于形成有机电致发光显示装置的像素的分区的材料，然而过高的原材料价格和由此导致的板材价格的上升及由聚酰胺酸前体的过高的碱溶解度引起的醌二叠氮化物的溶解降低效果减半。

并且，为了完善聚酰胺酸前体的高溶解度，利用酯基保护羧基的前体化合物被提出有合成步骤的增加和收率的降低，并且需要过高的曝光量的工序上的问题。进而，聚酰胺类树脂以芳香族环为化合物的基本骨架，从而树脂本身呈深黄褐色，因此在可视光区域中光渗透度低，且因过于强直的骨架结构引起的图案残留问题或显像特性调节难。

因此，需要耐热性、对稀的碱性溶液的显像特性、高解析度及高灵敏度特性均优秀的新型正性光致抗蚀剂组合物的开发。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供新型聚倍半硅氧烷类抗蚀剂组合物，在高温下耐热性优秀，对稀的碱性水溶液的显像性能优秀，从而容易形成高灵敏度和高解析度的图案，相对于基板的紧贴性、平坦性、残膜率及渗透度优秀。

本发明的另一目的在于，提供正性光致抗蚀剂组合物，利用一种的正性光致抗蚀剂组合物，可同时用作底板的导通孔形成用绝缘膜及上部有机电致发光的像素形成用分区绝缘膜。

解决问题的手段