[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201580002609.5 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107041160B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 小田大造;江藤基稀;山田隆;榛原照男;大石良;宇野智裕;小山田哲哉 | 申请（专利权）人： | 日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
1.一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，所述接合线包含In，相对于线整体，In的浓度为0.031质量％以上且1.2质量％以下，所述Pd被覆层的厚度为0.015μm以上且0.150μm以下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，In的浓度为0.100质量％以上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Pd被覆层的厚度为0.02μm以上。
4.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材包含选自Pt、Pd、Rh、Ni中的至少1种以上的元素，所述Cu合金芯材中包含的所述元素的浓度分别为0.05质量％以上且1.2质量％以下。
5.根据权利要求4所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材中包含的所述元素的浓度为0.1质量％以上。
6.根据权利要求4所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材中包含的所述元素的浓度为0.5质量％以上。
7.根据权利要求4所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Cu合金芯材中包含的所述元素的浓度为0.8质量％以下。
8.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在所述Pd被覆层上还具有Au表皮层。
9.根据权利要求8所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Au表皮层的厚度为0.0005μm以上且0.050μm以下。
10.根据权利要求9所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Au表皮层的厚度为0.001μm以上。
11.根据权利要求9所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述Au表皮层的厚度为0.003μm以上。
12.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述接合线还包含选自B、P、Mg、Ga、Ge中的至少1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为1质量ppm以上且100质量ppm以下。
13.根据权利要求1～12的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，在测定所述接合线表面的晶体取向所得到的测定结果中，所述接合线长度方向的晶体取向之中、相对于所述接合线长度方向角度差为15度以下的晶体取向<111>的存在比率以面积率计为30％以上且100％以下。
14.根据权利要求13所述的半导体装置用接合线，其特征在于，所述晶体取向<111>的存在比率以面积率计为50％以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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