[发明专利]半导体装置用接合线有效
申请号: | 201580002609.5 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN107041160B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 小田大造;江藤基稀;山田隆;榛原照男;大石良;宇野智裕;小山田哲哉 | 申请(专利权)人: | 日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C22C9/00;C22F1/08 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘航;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 接合 | ||
本发明提供一种适合车载用装置的接合线,其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线,改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性。一种半导体装置用接合线,具有Cu合金芯材、和在所述Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层,该接合线包含0.011~1.2质量%的In,Pd被覆层的厚度为0.015~0.150μm。因此,能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材含有分别为0.05~1.2质量%的Pt、Pd、Rh、Ni中的1种以上时,能够提高在175℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外,当在Pd被覆层的表面进一步形成Au表皮层时,楔接合性改善。
技术领域
本发明涉及为了将半导体元件上的电极和外部引线等电路布线基板的布线连接而被使用的半导体装置用接合线。
背景技术
现在,作为将半导体元件上的电极与外部引线之间接合的半导体装置用接合线(以下称为接合线),主要使用线径15~50μm左右的细线。接合线的接合方法一般为并用超声波的热压接方式,可使用通用接合装置、将接合线通到其内部而用于连接的毛细管工具等。接合线的接合工艺通过下述过程来完成:通过电弧热输入将线尖端加热熔融,利用表面张力形成球(FAB:Free Air Ball,无空气的球)后,使该球部压接接合于在150℃~300℃的范围内加热了的半导体元件的电极上(以下称为球接合),接着,形成环路(loop)之后,将线部压接接合于外部引线侧的电极(以下称为楔接合)。作为接合线的接合对象的半导体元件上的电极可以使用在Si基板上形成了以Al为主体的合金膜的电极结构,而外部引线侧的电极可以使用施加了镀Ag层、镀Pd层的电极结构等。
迄今为止,接合线的材料中Au是主流,但以LSI用途为中心,替代为Cu的工作正在推进。另一方面,以近年来的电动汽车、混合动力汽车的普及为背景,在车载用装置用途中,对于从Au替代为Cu的需求也在提高。
关于Cu接合线,曾提出了使用高纯度Cu(纯度:99.99质量%以上)的Cu接合线(例如,专利文献1)。Cu与Au相比具有易氧化的缺点,存在接合可靠性、球形成性、楔接合性等较差的问题。作为防止Cu接合线的表面氧化的方法,曾提出了用Au、Ag、Pt、Pd、Ni、Co、Cr、Ti等金属被覆Cu芯材表面的结构(专利文献2)。另外,曾提出了在Cu芯材的表面被覆Pd,再将Pd被覆层表面用Au、Ag、Cu或它们的合金被覆的结构(专利文献3)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭61-48543号公报
专利文献2:日本特开2005-167020号公报
专利文献3:日本特开2012-36490号公报
发明内容
车载用装置与一般的电子设备相比,要求在严酷的高温高湿环境下的接合可靠性。特别是将线的球部与电极接合的球接合部的接合寿命成为最大的问题。曾提出了好几种评价高温高湿环境下的接合可靠性的方法,作为代表性的评价方法,有HAST(HighlyAccelerated Temperature and Humidity Stress Test)(高温高湿环境暴露试验)。在采用HAST来评价球接合部的接合可靠性的情况下,将评价用的球接合部暴露于温度为130℃、相对湿度为85%的高温高湿环境中,测定接合部的电阻值的经时变化、或测定球接合部的剪切强度的经时变化,由此评价球接合部的接合寿命。最近,在这样的条件下的HAST中开始要求100小时以上的接合寿命。
使用以往的具有Pd被覆层的Cu接合线与纯Al电极进行接合,1st接合设为球接合,2nd接合设为楔接合,用塑模树脂封装后,进行了上述HAST条件下的评价,结果可知有时球接合部的接合寿命低于100小时,车载用装置所要求的接合可靠性不充分。
本发明的目的是提供一种接合线,其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线,改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性,适合于车载用装置。
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