[发明专利]Ag合金膜及Ag合金膜形成用溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及一种Ag合金膜、及用于形成该Ag合金膜的Ag合金膜形成用溅射靶，所述Ag合金模使用在显示器或LED等的反射电极膜、触控面板等的配线膜、及透明导电膜等中。

本申请主张基于2014年4月9日于日本申请的专利申请2014-080354号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

在显示器或LED等的反射电极膜、触控面板等的配线膜、及透明导电膜等中，通常使用比电阻值较低的Ag膜。例如，专利文献1中公开有作为半导体发光元件的电极的构成材料，使用高效率且反光的Ag膜或Ag合金膜。并且，专利文献2中公开有作为有机EL元件的反射电极的构成材料，使用Ag合金。而且，专利文献3中公开有作为触控面板的引出配线使用Ag合金膜。这些Ag膜及Ag合金膜通过使用由Ag或Ag合金构成的溅射靶来溅射成膜。

近年来在制造有机EL元件、触控面板用配线等时的玻璃基板的大型化(大面积化)正逐渐推进。与此同时，对大面积基板进行成膜时使用的溅射靶也逐渐大型化。在此，对大型溅射靶投入高功率来进行溅射时，由于靶的异常放电，有可能产生所谓的“喷溅”现象。产生该喷溅现象时，熔融的微粒附着于基板而引起配线或电极间的短路，从而产生成品率大幅下降的问题。

为此，例如在专利文献4中提出一种通过规定Ag合金的组成来实现抑制产生“喷溅”的大型溅射靶。

然而，近年来显示器、LED、触控面板、及有机EL元件等中逐渐推进电极图形及配线图形的微细化。其中，由于Ag膜中容易产生迁移现象，因此，经微细化的电极图形及配线图形中有可能产生短路。因此，要求耐迁移性尤其优异的Ag合金膜。

并且，使用大型溅射靶在大面积基板中形成Ag合金膜时，要求Ag合金中所含的元素成分均匀分布，以避免Ag合金膜的特性在面内产生偏差。

另一方面，Ag容易与硫进行反应。在显示面板等的制造工序，例如用于图形化的光刻胶的涂布或剥离工序中所使用的化学药品、制造工序或使用环境中的气氛中，含有硫成分。Ag通过这些硫成分而硫化，有时产生特性劣化或成品率降低的现象。因此，用作电极及配线的Ag合金膜中要求耐硫化性。

专利文献1：日本特开2006-245230号公报

专利文献2：日本特开2012-059576号公报

专利文献3：日本特开2009-031705号公报

专利文献4：日本特开2013-216976号公报

发明内容

本发明是鉴于前述内容而完成的，其目的在于提供一种耐迁移性及耐硫化性优异的Ag合金膜、及即使在大面积基板中形成膜的情况下，也能够形成面内特性稳定的Ag合金膜的Ag合金膜形成用溅射靶。

为了解决上述课题，本发明的一方式所涉及的Ag合金膜具有如下组成：含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In、1质量ppm以上且50质量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

这种构成的本发明的一方式所涉及的Ag合金膜中，由于以1质量ppm以上且50质量ppm以下的范围含有Cu，因此能够抑制产生Ag的离子迁移现象，并能够大幅提高耐迁移性。

并且，以0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围含有In，因此能够提高膜的耐硫化性。因此，能够抑制在制造工序中或使用环境下的特性劣化。

在此，优选本发明的一方式所涉及的Ag合金膜进一步含有0.01质量％以上且1.0质量％以下的Sb。

在上述显示器或LED的制造过程中有可能进行高温的热处理，因此用作显示器或LED的电极及配线的Ag合金膜中要求即使在热处理之后也不产生其特性劣化的耐热性。因此，本发明的一方式所涉及的Ag合金膜通过进一步含有0.01质量％以上且1.0质量％以下的Sb，能够提高膜的耐热性，并能够抑制热处理之后的特性劣化。因此，尤其适于用作显示器或LED的电极及配线的Ag合金膜。

并且，优选本发明的一方式所涉及的Ag合金膜进一步含有0.5质量ppm以上且50质量ppm以下的Ca。

此时，由于含有0.5质量ppm以上且50质量ppm以下的Ca，因此通过与Cu的相互作用，能够可靠地抑制Ag的离子迁移现象的产生，并能够大幅提高耐迁移性。