[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在碳化硅晶片的表面侧形成表面电极的工序；

从背面侧使所述碳化硅晶片变薄，从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序；

在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序；

在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下，对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应后的碳化物层的工序；以及

在所述碳化物层的背面侧形成背面电极的工序，

其中，所述碳化物层具有碳化物密度高的高密度部、以及碳化物密度低的低密度部，

在所述碳化物层的面内方向上沿不同的两个方向设置所述高密度部。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，在进行激光照射时使照射的位置的一部分与已被激光照射过的位置重复。

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述激光沿第一方向照射，

当沿所述第一方向的某激光照射结束后，从间隔开的另外的位置上开始沿所述第一方向进行另外的激光照射。

4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述外力是来自于真空吸附部的吸附力或是来自于通过所述激光透过的部件所形成的按压部的按压力。

5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述金属层的材料为钛、钼、或是钛以及钼。

6.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述激光为绿激光。

7.一种半导体基体的制造方法，其特征在于，包括：

从背面侧将碳化硅晶片变薄，从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序；

在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序；以及

在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下，对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应后的碳化物层的工序，

其中，所述碳化物层具有碳化物密度高的高密度部、以及碳化物密度低的低密度部，

在所述碳化物层的面内方向上沿不同的两个方向设置所述高密度部。

8.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，包括：

碳化硅晶片；

表面电极，设置在所述碳化硅晶片的表面侧；

碳化物层，设置在所述碳化硅晶片的被薄板化后的背面；以及

背面电极，设置在所述碳化物层的背面侧，

其中，所述碳化物层被设置在所述碳化硅晶片的整个所述背面，具有碳化物密度高的高密度部，和碳化物密度低的低密度部，

在所述碳化物层的面内方向上沿不同的两个方向设置所述高密度部。