[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置有效

申请号：	201580007858.3	申请日：	2015-12-11
公开（公告）号：	CN107533961B	公开（公告）日：	2020-08-21
发明（设计）人：	福田祐介;渡部善之	申请（专利权）人：	新电元工业株式会社
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28
代理公司：	上海德昭知识产权代理有限公司 31204	代理人：	郁旦蓉
地址：	日本国东京都千***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	碳化硅半导体装置制造方法基体以及
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【说明书】：

碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。

技术领域

本发明涉及一种碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置。

背景技术

以往，为了使碳化硅半导体元件变得更薄，一直在尝试将碳化硅晶片(Wafer)做得更薄。在将碳化硅晶片做得更薄时，例如可以使用研削的手法。另一方面，将碳化硅晶片变薄有时会发生翘曲。作为解决此类翘曲问题的手法，例如WO2012/049792号公报(第【0038】段)中，提出了如下的方案。(1)在进行薄板化后在背面将Ni(镍)膜成膜，并且通过对该Ni膜进行激光退火(Laser annealing)从而形成硅化物(Silicide)层。(2)通过像这样使基板(晶片)变薄虽然会发生很大的翘曲，但通过将薄板化后在研削面形成的加工变质层的至少一部分去除(表面处理)来调节基板(晶片)的翘曲量。

本发明提供一种不同于以往的WO2012/049792号公报，在不去除加工变质层的情况下以简便的手法消除或是减小翘曲的碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置。

发明内容

根据本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，包括：

在碳化硅晶片的表面侧形成表面电极的工序；

从背面侧使所述碳化硅晶片变薄，从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序；

在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序；

在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下，对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应后的碳化物(Carbide)层的工序；以及

在所述碳化物层的背面侧形成背面电极的工序。

根据本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，

可以在进行激光(Laser)照射时使照射的位置的一部分与已被激光照射过的位置重复，

通过所述被激光照射的位置的重复，形成碳化物密度高的高密度部，

并且，通过所述被激光照射的位置的不重复，形成碳化物密度低的低密度部。