[发明专利]选择性导电阻挡层形成

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括将第一互连层耦合至沟槽的通孔的管芯；

在所述沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在所述通孔的侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括直接在所述第一互连层的表面上的第一侧壁部分和第二侧壁部分；

直接在所述第一互连层的所述表面上的掺杂导电层，所述掺杂导电层在所述通孔的相对的侧壁上的所述阻挡层的所述第一侧壁部分和所述第二侧壁部分之间延伸；以及

填充在所述通孔和所述沟槽两者中的在所述阻挡层上的导电材料，所述导电材料被直接布置在与所述第一互连层的所述表面相对的所述掺杂导电层的表面上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层包括氧化铝(Al₂O₃)。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电材料包括铜和铝。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述第一互连层的一些部分上的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括含硅氮的碳氧化物(SiCON)。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂导电层包括铜铝合金。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连层包括铜。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂导电层还在所述导电材料和所述第一互连层的所述表面之间延伸。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入到娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。

10.一种半导体器件，包括：

包括将第一互连层耦合至沟槽的通孔的管芯；

在所述沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在所述通孔的侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括直接在所述第一互连层的表面上的第一侧壁部分和第二侧壁；

直接在所述第一互连层的表面上的掺杂导电层，所述掺杂导电层在所述通孔的相对的侧壁上的所述阻挡层的所述第一侧壁部分和第二侧壁部分之间延伸；以及

填充在所述通孔和所述沟槽两者中在所述阻挡层上的用于导电的装置，所述导电装置直接在与所述第一互连层的所述表面相对的所述掺杂导电层的表面上。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层包括氧化铝(Al₂O₃)。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述用于导电的装置包括铜和铝。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述第一互连层的一些部分上的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括含硅氮的碳氧化物(SiCON)。

14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂导电层包括铜铝合金。

15.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一互连层包括铜。

16.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂导电层还在所述通孔的所述侧壁之间延伸。

17.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入到：娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，所述娱乐单元包括音乐播放器或视频播放器。