[发明专利]导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂、其溶液、使用它们的任意一者制造而成的导电性高分子及使用该导电性高分子作为电解质的电解电容器

权利要求书

1.一种导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂，其特征为，包含有机磺酸铁，以及从磷酸酯、亚磷酸酯、硼酸酯、硫代磷酸酯及二硫代磷酸酯构成的群组中选出的至少一种。

2.根据权利要求1所述的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂，其进一步包含具有缩水甘油基的化合物或其开环化合物。

3.根据权利要求1或2所述的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂，其中，有机磺酸铁中的有机磺酸少于铁与有机磺酸的摩尔比1:3。

4.根据权利要求1或2所述的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂，其中从磷酸酯、亚磷酸酯、硼酸酯、硫代磷酸酯及二硫代磷酸酯构成的群组中选出的至少一种的添加量，相对于有机磺酸铁，以质量基准计为1～100％。

5.一种导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂溶液，其特征为，权利要求1至4中任意一项所述的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂以20～70质量％的浓度溶解于水、醇或水与醇的混合液中。

6.一种导电性高分子，其特征为，使用权利要求1至4中任意一项所述的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂，将从噻吩或其衍生物、吡咯或其衍生物及苯胺及其衍生物构成的群组中选出的至少一种单体氧化聚合而制造。

7.一种导电性高分子，其特征为，使用权利要求5的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂溶液，将从噻吩或其衍生物、吡咯或其衍生物及苯胺及其衍生物构成的群组中选出的至少一种单体氧化聚合而制造。

8.根据权利要求6或7所述的导电性高分子，其中，单体为噻吩的衍生物，该噻吩的衍生物为下述通式(7)所示的3,4-亚乙基二氧噻吩或烷基化亚乙基二氧噻吩，

式中，R⁴为氢或碳原子数1～10的烷基。

9.根据权利要求8所述的导电性高分子，其中噻吩的衍生物为3,4-亚乙基二氧噻吩及烷基化亚乙基二氧噻吩的混合物。

10.一种电解电容器，其特征为，使用权利要求6至9中任意一项的导电性高分子作为电解质。

11.一种电解电容器，其特征为，使用权利要求6至9中任意一项的导电性高分子，以及从以聚合物阴离子作为掺杂剂的π共轭类导电性高分子的分散液得到的导电性高分子，作为电解质。

12.根据权利要求10或11所述的电解电容器，其中进一步包含导电性辅助液，该导电性辅助液含有沸点为150℃以上的高沸点有机溶剂，或者含有沸点为150℃以上的高沸点有机溶剂及至少具有一个羟基或羧基的芳香族类化合物。