[发明专利]对准器结构及对准方法有效
申请号: | 201580010595.1 | 申请日: | 2015-02-27 |
公开(公告)号: | CN106062990B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 曹生贤 | 申请(专利权)人: | VNI斯陆深株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京鼎承知识产权代理有限公司11551 | 代理人: | 李伟波,管莹 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 结构 方法 | ||
技术领域
本发明涉及基板处理装置,更详细而言,涉及一种为了在基板上执行沉积工序而对准基板及掩模的对准器结构及对准方法。
背景技术
随着IT技术的飞跃性发展与智能手机等显示装置市场的成长,平板显示装置(Flat Panel Display)倍受瞩目。作为这种平板显示装置,有液晶显示装置(Liquid Crystal Display)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diodes)等。
其中,有机发光显示装置具有快速的响应速度、比原有液晶显示装置更低的耗电、轻量性、因不需要另外的背光(back light)装置而能够制造成超薄型、高亮度等非常好的优点,因而作为下一代显示元件而倍受瞩目。
这种有机发光显示装置利用了在基板上依次形成阳极、有机膜、阴极并在阳极与阴极之间施加电压而自行发光的原理。
有机发光显示装置虽然未图示,但在基板上依次形成有阳极(anode)、空穴注入层(hole injection layer)、空穴传输层(hole transfer layer)、发光层(emitting layer)、电子传输层(electron transfer layer)、电子注入层(electron injection layer)、阴极(cathode)。其中,阳极使用表面电阻小、光线透过性好的ITO(Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)。
而且,有机膜对空气中的水分和氧气非常脆弱,因而为了使元件的寿命(life time)增加,在最上部形成有封闭了有机膜等的封装膜。
另一方面,为了有机发光显示装置的制造,阳极、阴极、有机膜、封装膜等一般通过真空沉积法形成。
其中,所谓真空沉积法,是指在真空腔中设置使沉积物质加热而蒸发的源物质,把从源物质蒸发的沉积物质沉积于基板表面的方法。
而且,在制造有机发光显示装置方面,如图1所示,具有既定图案的阳极、阴极、有机膜等是使掩模(M)结合于基板(S)而形成。在图1中,F是指使借助于磁力等而对准的掩模(M)及基板(S)贴紧的支撑构件。
此时,如图2所示,为了使得与预先设计的图案一致,需要对齐基板(S)及掩模(M),为此,在利用摄像头进行识别的同时,借助于移动手段而使掩模(M)移动,使得在基板(S)及掩模(M)上分别形成的标记(m1,m2)相互一致后,利用支撑构件(F),使掩模(M)贴紧基板(S)。
作为以往的对准器结构,有韩国注册专利第10-0627679号。
可是,随着显示装置的分辨率不断提高,图案也细微化,为了细微化图案的形成,需要基板(S)及掩模(M)的更精密对齐。
而且,基板(S)及掩模(M)的精密对齐必须体现基板(S)或掩模(M)的细微移动方可。
但是,以往的对准器结构采用滚珠螺杆等机械式运转方式,因此,存在无法实现基板(S)或掩模(M)的细微移动的问题。
另外,作为采用机械式运转方式的以往方法,基板(S)及掩模(M)不容易精密对齐,借助通过数次反复的对齐而执行,因而基板(S)及掩模(M)的对齐所需的时间增加,使整体工序时间增加,存在显示装置的生产率低下的问题。
特别是基板(S)及掩模(M)的对齐所需的时间使整体工序时间增加,存在显示装置的生产率低下的问题,需要对基板(S)及掩模(M)的更迅速的对齐方法。
发明内容
本发明要解决的技术问题
为了解决这种问题,本发明的目的在于提供一种对准器结构及对准方法,借助于相对较大移动尺度的基板(S)及掩模(M)间的第1次相对移动及相对较小移动尺度的基板(S)及掩模(M)间的第2次相对移动的组合,能够实现迅速而精密的基板及掩模的对齐。
根据本发明的另一方面,目的在于提供一种能够迅速执行基板(S)及掩模(M)的对齐的对准器结构及对准方法。
技术方案
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择