[发明专利]基体涂覆方法和装置

权利要求书

1.一种用于基体(50)尤其是内置假体的等离子体处理的方法，尤其借助PECVD工艺，具有以下步骤：

-将基体(50)插入真空室(10)中；

-通过待涂覆的所述基体(50)表面(52)的等离子体处理来执行清洁步骤；

-其中，该基体(50)在该清洁步骤中靠近第一电极(30)且与第二电极(40)间隔地安置，以及

其中，该基体(50)至少在该清洁步骤中相对于所述第一电极(30)被电绝缘。

2.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

-在有待在等离子体(20)中涂覆的所述基体(50)的表面(52)上执行处理步骤，其中，来自等离子体的离子在所述基体(50)的靠近该表面的区域中被注入。

3.根据权利要求2的方法，其特征是，如此执行在该处理步骤中的离子注入，即，在靠近该表面的区域中产生注入离子的目标分布轮廓，并且所述分布轮廓的最大值在最大10nm、尤其最大5nm的深度处。

4.根据权利要求2和3的方法，其特征是，在该处理步骤中，来自以下元素组的至少一种元素被注入，所述元素具有的原子数在5至50之间，尤其是来自由硅、钙、碳构成的组。

5.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在所述第一电极(30)前面，在该基体(50)区域中至少在清洁步骤和处理步骤中通过施加负电压至所述第一电极(30)而形成至少间歇的实际无电子的侧区(22)。

6.根据权利要求5的方法，其特征是，将负电压施加至所述第一电极(30)，其中优选地，在处理步骤开始时的负电压大于在处理步骤要结束时的负电压。

7.根据权利要求5或6的方法，其特征是，该负电压在-1V至-2000V的范围内。

8.根据权利要求5至7之一的方法，其特征是，该负电压是频率最高为1MHz、优选最高为400kHz的脉冲电压。

9.根据前述权利要求之一的方法，其特征是，在该基体(50)的表面(52)上沉积功能层(74)。

10.一种用于执行根据前述权利要求之一的方法的装置(100)，其特征是，设置电绝缘的支座(32)来接纳基体(50)。

11.根据权利要求10的装置，其特征是，该支座(32)位于第一电极(30)附近，直流电压能被施加至所述第一电极。

12.根据权利要求10或11的装置，其特征是，该支座(32)具有用于该基体(50)的可旋转支承。

13.一种内置假体，其具有由镁或镁合金构成的基体(50)，该基体具有通过离子注入被处理的表面(52)。

14.根据权利要求13的内置假体，其特征是，该基体(50)的靠近该表面的区域通过离子注入富含硅，并且其中在该表面(52)上沉积碳化硅。

15.一种根据权利要求1至9之一所制造的内置假体。