[发明专利]测量方法、电极、再生方法、等离子体蚀刻装置和显示方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，所述气体导入孔设置成沿厚度方向贯穿所述等离子体蚀刻装置用电极中的基材，其特征在于，所述方法包括：

使光从所述基材的一面侧朝向所述气体导入孔进行照射；

获得不透过所述基材但通过所述气体导入孔而透过所述基材的另一面侧的所述光的二维图像；以及

基于所述二维图像，测量所述气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，其特征在于，所述光是相干光。

3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，其特征在于，基于沿所述二维图像的扫描线的信号的斜率，来测量所述气体导入孔的内壁面的粗糙度。

4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置用电极上设置的气体导入孔的测量方法，其特征在于，还包括：从所述基材的一面侧来获取所述气体导入孔的开口部图像，

在测量所述气体导入孔时，基于所述二维图像和所述开口部图像来进行测量。

5.一种电极，用于等离子体蚀刻装置，其特征在于，

包括设有多个气体导入孔的板状基材，所述多个气体导入孔在厚度方向上贯穿所述板状基材，

在通过权利要求1所述的测量方法进行测量的情况下，将所述多个气体导入孔的内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个收敛在预设的一定范围内。

6.如权利要求5所述的电极，其特征在于，所述基材的主材料是硅。

7.如权利要求5所述的电极，其特征在于，所述基材通过包含石英的至少两种材料构成。

8.如权利要求5所述的电极，其特征在于，所述基材的主材料是碳化硅。

9.一种等离子体蚀刻装置用电极的再生方法，所述电极设有在基材厚度方向中贯穿的气体导入孔，其特征在于，所述方法包括：

测量在所述等离子体蚀刻装置中使用了规定时间的所述电极的所述气体导入孔的状态；

基于所述气体导入孔的状态的测量结果，进行所述基材的表面的研磨和所述气体导入孔的内壁面的加工的至少之一；以及

测量加工后的所述气体导入孔的状态，

其中，测量所述气体导入孔的状态包括：

使光从所述基材的一面侧朝向所述气体导入孔进行照射；

获得不透过所述基材但通过所述气体导入孔而透过所述基材的另一面侧的所述光的二维图像；以及

基于所述二维图像，测量所述气体导入孔的直径、内壁面的粗糙度和垂直程度中的至少一个。

10.如权利要求9所述的等离子体蚀刻装置用电极的再生方法，其特征在于，所述光是相干光。

11.如权利要求9所述的等离子体蚀刻装置用电极的再生方法，其特征在于，基于沿所述二维图像的扫描线的信号的斜率，来测量所述气体导入孔的内壁面的粗糙度。

12.如权利要求9所述的等离子体蚀刻装置用电极的再生方法，其特征在于，还包括：从所述基材的一面侧来获取所述气体导入孔的开口部图像，

在测量所述气体导入孔时，基于所述二维图像和所述开口部图像来进行测量。

13.如权利要求9所述的等离子体蚀刻装置用电极的再生方法，其特征在于，在所述气体导入孔的状态的测量结果中，在所述气体导入孔的内壁面的粗糙度收敛在预设范围内时，对所述基材的表面进行研磨，当不收敛在预设范围内时，对所述气体导入孔的内壁面进行加工。

14.如权利要求9所述的等离子体蚀刻装置用电极的再生方法，其特征在于，所述气体导入孔的内壁面加工包括使所述气体导入孔的直径变大的穿孔加工和对所述气体导入孔的内壁面的蚀刻加工的至少一种。