[发明专利]旋转批量外延系统有效
申请号: | 201580035653.6 | 申请日: | 2015-06-09 |
公开(公告)号: | CN106663604B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 雅各布·纽曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旋转 批量 外延 系统 | ||
1.一种处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室盖件,所述腔室盖件具有:
中心设置的气体入口,所述中心设置的气体入口经调适而将第一工艺气体引至所述处理腔室的内部容积;
一或多个气体出口,所述一或多个气体出口自所述中心设置的气体入口径向向外设置;和
第一气体偏转器,所述第一气体偏转器经定位而将所述第一工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面;
多个灯,所述多个灯设置于所述腔室盖件内,多个灯定位于所述中心设置的气体入口与所述一或多个气体出口之间;和
可旋转的基板支撑件,所述可旋转的基板支撑件设置于所述处理腔室内,所述可旋转的基板支撑件经调适以支撑所述可旋转的基板支撑件上的所述多个基板,所述可旋转的基板支撑件包含:
气体通道,所述气体通道形成于所述可旋转的基板支撑件中,以用于将第二工艺气体引至所述处理腔室的所述内部容积;和
第二气体偏转器,所述第二气体偏转器经定位而将所述第二工艺气体侧向地导向横跨所述多个基板的所述表面;
多个基板支撑凹槽,所述多个基板支撑凹槽形成于所述可旋转的基板支撑件的上表面中;以及
一或多个排气气室,所述一或多个排气气室形成于所述可旋转的基板支撑件的所述上表面中,所述一或多个排气气室自所述基板支撑凹槽径向向外设置,
其中所述一或多个气体出口经构造以自所述腔室盖件的下表面通过并向上将所述第一工艺气体或所述第二工艺气体中的一或多种的至少一些自所述处理腔室排出,且所述一或多个排气气室经构造以自所述可旋转的基板支撑件的所述上表面通过并向下将所述第一工艺气体或所述第二工艺气体中的一或多种的至少一些自所述处理腔室排出。
2.如权利要求1所述的处理腔室,进一步包括一或多个气体偏转器,所述一或多个气体偏转器邻近于所述一或多个排气气室的各个排气气室而定位。
3.如权利要求2所述的处理腔室,其中邻近于所述一或多个排气气室中的各个排气气室而定位的所述一或多个气体偏转器中的各个气体偏转器以相关于所述可旋转的基板支撑件的上表面约45度至约135度的角度定位。
4.如权利要求1所述的处理腔室,进一步包括可旋转的气体密封件,所述可旋转的气体密封件设置于所述气体通道与所述可旋转的基板支撑件的支撑轴之间,所述气体通道形成于所述可旋转的基板支撑件中。
5.如权利要求1所述的处理腔室,进一步包括致动器,所述致动器耦接至所述可旋转的基板支撑件以垂直致动所述可旋转的基板支撑件。
6.如权利要求1所述的处理腔室,其中:
所述可旋转的基板支撑件包括凹槽,所述凹槽于所述可旋转的基板支撑件的上表面中心形成;
其中具有多个开口的板设置于所述凹槽内,所述多个开口通过所述板而形成;
其中所述第二气体偏转器包括支撑柱,所述支撑柱与气体偏转构件中心耦接;以及
其中所述支撑柱与所述板耦接。
7.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述腔室盖件的所述一或多个气体出口包括环状排气出口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造