[发明专利]旋转批量外延系统

说明书

本发明实施方式涉及用于在外延薄膜形成期间批量处理的方法与装置。在一个实施例中，处理腔室包括腔室盖件与基板支撑件。腔室盖件包括中心设置的气体入口与第一气体偏转器，第一气体偏转器与腔室盖件耦接并经调适而将第一工艺气体侧向导向横跨多个基板的表面。该盖件也包括一或多个气体出口及多个灯，气体出口自中心设置的气体入口径向向外设置，多个灯设置于中心设置的气体入口与一或多个气体出口之间。基板支撑件是可旋转的且包括气体通道与第二气体偏转器，气体通道于基板支撑件中形成以用于将第二工艺气体引至处理腔室的内部容积，第二气体偏转器经调适而将第二工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面。

技术领域

本公开内容的实施方式总体涉及用于在基板上形成外延材料的装置与方法，基板诸如半导体基板。

背景技术

外延是指结晶基板上的结晶覆盖层的形成。外延薄膜可使用结晶基板作为晶种而自气体或液体前驱物生长。因此，生长的薄膜可具有相关于结晶基板相同或相似的晶体取向(orientation)。由于相关于工艺气流的处理限制，在一次处理一个结晶基板以获得足够的外延薄膜品质。然而，因为在一次只处理单一基板，所以外延形成经常会是器件产量的瓶颈。

因此，对于同时在多个基板上形成外延薄膜的方法与装置存有需求。

发明内容

本文所述的实施方式一般涉及用于在外延薄膜形成期间批量处理基板的方法与装置。在一个实施例中，处理腔室包括腔室盖件与基板支撑件。腔室盖件包括中心设置的气体入口与第一气体偏转器，第一气体偏转器与腔室盖件耦接并经调适而将第一工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面。该盖件也包括一或多个气体出口，气体出口自中心设置的气体入口径向向外设置。该盖件还包括多个灯，多个灯设置于中心设置的气体入口与一或多个气体出口之间。基板支撑件是可旋转的且包括于基板支撑件中形成的气体通道。气体通道将第二工艺气体引至处理腔室的内部容积。第二气体偏转器经调适而将第二工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面。

在另一个实施例中，处理腔室包括腔室主体以及设置于腔室主体上的腔室盖件。腔室盖件包括中心设置的气体入口以用于将第一工艺气体引至处理腔室的内部容积。腔室盖件也包括耦接至腔室盖件的第一气体偏转器，以用于将第一工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面。腔室盖件还包括一或多个气体出口，气体出口自中心设置的气体入口径向向外设置。多个灯设置于腔室盖件内。处理腔室进一步包括设置于处理腔室内的可旋转的基板支撑件。可旋转的基板支撑件经调适以支撑可旋转的基板支撑件上的多个基板。可旋转的基板支撑件包括第二气体偏转器，第二气体偏转器经调适而将第二工艺气体侧向地导向横跨多个基板的表面。

在另一个实施例中，一种处理多个基板的方法包括将工艺气体引导通过腔室盖件中形成的气体入口。腔室盖件定位于腔室主体上。该方法进一步包括将工艺气体横跨一或多个基板的表面侧向偏转。该方法也包括将额外的工艺气体引导通过基板支撑件中形成的气体入口。该方法还包括将额外的工艺气体横跨一或多个基板的表面侧向偏转。该方法还包括将工艺气体与额外的工艺气体自腔室主体排出。

附图说明

以上简要概述的本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及本公开内容更特定的描述可以通过参照实施方式而获得，实施方式中的一些实施方式绘示于附图中。然而，应当注意，附图仅绘示了示例性实施方式，因而不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其它等同有效的实施方式。

图1根据本公开内容的一个实施方式图示处理腔室的截面图。

图2根据本公开内容的另一个实施方式图示处理腔室的截面图。

图3根据本公开内容的一个实施方式图示腔室盖件的底部平面图。

图4根据本公开内容的一个实施方式图示基板支撑件的顶部平面图。

图5根据本公开内容的一个实施方式图示气体偏转器的截面图。