[发明专利]用于校准基座的设备及方法有效
申请号: | 201580036364.8 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN106663630B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 埃德里克·唐;詹姆斯·弗朗西斯·麦克;保罗·布里尔哈特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 校准 基座 设备 方法 | ||
本发明所述的实施方式一般涉及用于将基座耦接至处理腔室的杆组件。杆组件包括枢轴机构、第一弹性密封件、第二弹性密封件、壳体与运动组件,其中第一弹性密封件耦接至枢轴机构,第二弹性密封件耦接至板的第一侧上的板,该板具有耦接至第一弹性密封件的第二侧,壳体耦接至第二弹性密封件,运动组件经调整而在X轴与Y轴上移动壳体并将基座相对于处理腔室的X‑Y平面以角度地定位。
领域
本发明公开的的实施方式一般涉及半导体处理,且更具体而言,涉及用于在热处理腔室中校准基座的方法与设备。
相关技术的描述
热处理腔室,如快速热处理(RTP)与外延腔室使用于半导体芯片制造中以产生、化学变化或蚀刻半导体基板上的表面结构。RTP与外延腔室通常使用阵列的高强度灯加热基板。灯在短时间周期中将基板加热至高达或超过约1000摄氏度的温度。当灯关掉电源时,基板可接着在短时间周期中于腔室中冷却。腔室通常由石英制成以抵抗高温与温度变化。腔室所经历的巨大温度范围导致显著热膨胀与热收缩。部件间宽松的误差一般需要用石英材料,其中热膨胀使得腔室部件的精确校准变得困难。
腔室内的基座、或基板支撑件的精密校准是困难的。基座通常所需的定位是将基座置于腔室X-Y平面的中心且具有与腔室X-Y平面平行的基座的基板接收表面。然而,因传统系统中的设计限制,基座不可靠地置放于所需位置与定向处,其可能产生多个处理问题。例如,在传统系统中,可经选择以将基座置于X-Y平面的中心,其可能使得基座设置于相对于腔室的X-Y平面没有平行(即倾斜)的平面中。基座倾斜在多个腔室中最不可能是相同的,其导致诸多腔室匹配问题,包括高温计误差、实际温度差、气流差、边界层效应、晶片滑动等。
因此,能够使热处理腔室中的基座更精确校准的设备与方法是有其需求的。
本发明所述实施方式一般涉及用于在热处理腔室(如外延沉积腔室或快速热处理腔室等用于热处理基板的腔室)中校准基座的方法与设备。
在一个实施方式中,提供一种热处理腔室。热处理腔室包括基座、与基座耦接的杆以及与杆耦接的运动组件,运动组件包括侧向调整装置与倾斜调整机构,侧向调整装置与倾斜调整机构经调整而将基座的主要表面定位于平行于腔室X-Y平面的平面中并将杆沿着腔室的纵轴定位。
在另一个实施方式中,提供一种热处理腔室。该热处理腔室包括基座、与基座耦接的杆以及与杆耦接的运动组件,运动组件包括侧向调整装置与倾斜调整机构,侧向调整装置与倾斜调整机构经调整而将基座的主要表面定位于平行于腔室X-Y平面的平面中并将杆沿着腔室的纵轴定位,其中运动组件包括至少两个弹性密封件,且其中侧向调整装置包含X调整板与Y调整板,X调整板与Y调整板耦接至底部板的邻近侧,底部板邻近于至少两个弹性密封件中的一个而设置。
在另一个实施方式中,提供一种用于将基座耦接至处理腔室的杆组件。杆组件包括枢轴机构、垂直致动器、旋转致动器、第一弹性密封件、第二弹性密封件与运动组件,枢轴机构具有穿过枢轴机构而设置的杆,垂直致动器与杆耦接,旋转致动器设置于与杆耦接的壳体中,第一弹性密封件耦接于枢轴机构与垂直致动器的支架之间,第二弹性密封件耦接于支架与旋转致动器的底部板之间,运动组件经调整而将壳体于X轴、Y轴上移动并将基座相对于处理腔室的X-Y平面以角度定位。
本公开内容的特征已简要概述于前,并在以下有更详尽的讨论,可以通过参考所附附图中绘示的本发明实施方式以作了解。然而,值得注意的是,所附附图只绘示了本公开内容的典型实施方式,而由于本公开内容可允许其他等效的实施方式,所附附图并不会视为本公开内容的范围的限制。
图1绘示热处理腔室的示意截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造