[发明专利]具有动态VIO移位保护的双比较器电路

权利要求书

1.一种双比较器电路，其包括：

第一比较器，其包含主金属氧化物半导体差分对以及在启用时提供第一决定输出的启用输入及主输出；

第二比较器，其包含辅助金属氧化物半导体差分对，其中所述第二比较器经配置以接收差分输入电压且在控制输出处产生第二决定输出以及在耦合至所述第一比较器的所述启用输入的辅助输出处产生控制信号；

其中所述双比较器电路经配置以在所述差分输入电压的量值小于预定电压电平时提供第一操作模式，其中所述控制信号启动所述第一比较器且所述主金属氧化物半导体差分对接收所述差分输入电压，且在所述差分输入电压的所述量值大于或等于所述预定电压电平时实施第二操作模式，其中至少一个开关防止所述主金属氧化物半导体差分对产生暂态输入失调电压VIO偏移；以及

逻辑电路，其具有接收所述第一决定输出及所述第二决定输出的逻辑输入，以及在所述第一操作模式中时从所述第一决定输出而在所述第二操作模式中时从所述第二决定输出提供所述双比较器电路的决定结果的逻辑输出。

2.根据权利要求1所述的双比较器电路，其中所述第二比较器包含经配置以产生指示所述差分输入电压的所述量值是否大于或等于所述预定电压电平的至少一个标记的电路。

3.根据权利要求1所述的双比较器电路，其中所述开关位于所述主金属氧化物半导体差分对中的金属氧化物半导体晶体管的高电位节点之间以始终将与所述差分输入电压的连接维持至所述金属氧化物半导体晶体管的栅极，且所述开关经耦合以接收所述控制信号。

4.根据权利要求1所述的双比较器电路，其中所述主金属氧化物半导体差分对包含PMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的双比较器电路，其进一步包括提供第一电流镜射比率及第二电流镜射比率的切换电流镜射比率电路以用于提供所述双比较器电路的滞后作用。

6.根据权利要求2所述的双比较器电路，其中所述至少一个标记包含第一标记及第二标记，且其中所述第二比较器包含经耦合以接收在所述第一标记及所述第二标记处提供的信号的施密特触发器。

7.根据权利要求1所述的双比较器电路，其中所述预定电压电平PVL大于或等于|20mv|。

8.根据权利要求1所述的双比较器电路，其中所述双比较器电路为模/数转换器的组件，其包含：

数/模转换器，其接收参考电压；

采样与保持电路；以及

逐次逼近寄存器，其将数字信号提供至所述数/模转换器；

其中所述差分输入电压由所述采样与保持电路的输出及所述数/模转换器的输出提供；

其中所述逻辑输出耦合至所述逐次逼近寄存器的输入；

其中所述逐次逼近寄存器为所述模/数转换器产生转换结束输出。

9.根据权利要求8所述的双比较器电路，其中所述模/数转换器为微控制器单元的组件，所述微控制器单元包含：

第一非易失性程序存储器；

易失性数据存储器；

数字I/O；

中央处理单元；

时钟；以及

数字数据总线和地址总线，所述数字数据总线和地址总线用于将所述第一非易失性程序存储器、所述易失性数据存储器、所述数字I/O、所述中央处理单元以及所述时钟耦合在一起。