[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，具备：

等离子生成部，其在配置基板的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；

冷却部，其隔着冷却空间与所述基板相对，并具有向所述冷却空间供给所述工艺气体的供给口；

工艺气体供给部，其向所述冷却部供给所述工艺气体；以及

连通部，其连通所述冷却空间和所述等离子生成空间，用于将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体供给到所述等离子生成空间，

只从所述冷却部向所述等离子生成空间供给所述工艺气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述冷却部包括底座部，在该底座部形成有包括所述供给口的气体流道，

所述基板处理装置进一步具备与所述底座部连接的冷却源。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述供给口是相对于所述冷却部的基板相对面的中心点对称配置的多个供给口中的一个。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述冷却部的基板相对面为矩形状，

在由所述基板相对面的对角线区划而成的多个区域的各个区域中所述供给口的开口面积相同。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的基板处理装置，其中，

进一步具备框状的基板保持部，该基板保持部保持所述基板，

所述冷却部的基板相对面的大小比设于所述基板保持部的内侧的开口部小。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的基板处理装置，其中，

进一步具备框状的基板保持部，该基板保持部保持所述基板，

所述基板保持部包括框体和基板固定件，该基板固定件设于所述框体并固定所述基板，

所述基板固定件构成为在所述框体与所述基板之间形成间隙，并且能从所述冷却空间经由所述间隙而向所述等离子生成空间供给所述工艺气体。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的基板处理装置，其中，

所述冷却部包括多个肋部，多个肋部从所述冷却部的基板相对面突出并沿着所述冷却部的外周设置，

所述基板处理装置进一步具备连通口，该连通口设于所述多个肋部之间，用于从所述冷却空间向所述等离子生成空间供给所述工艺气体。

8.一种基板处理方法，包括如下步骤：

在等离子生成空间配置基板的步骤；以及

一边通过从隔着冷却空间与所述基板相对的冷却部向所述冷却空间供给工艺气体来冷却所述基板，一边通过只将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体经由所述基板和所述冷却部之间的间隙而供给到所述等离子生成空间并生成被供给到所述等离子生成空间的所述工艺气体的等离子，从而进行基板处理的步骤。