[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。

技术领域

本发明涉及对基板的两面进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

近年来，为了实现电子设备的轻量化、薄型化等，在安装有电子部件的安装基板等中逐渐采用例如薄膜状的基板。

诸如薄膜状的基板这样的薄型基板与以前普遍采用的玻璃基板等相比，耐热性低。例如，在通过溅射法对薄型基板进行成膜的情况下，高能量的溅射粒子到达基板表面，从而使基板表面的温度上升。当基板表面的温度超过基板材料的容许温度时，有可能导致基板的变形等，因此在对薄型基板进行成膜的情况下，需要在不超过基板材料的容许温度的温度范围进行成膜。

作为对薄型基板进行冷却的机构，已知有例如使冷却辊面接触到基板的背面的机构(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-155704号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，例如在进行两面成膜的情况下等，需要抑制异物附着到基板的两面上。如上所述，在使冷却辊和基板面接触而对基板进行冷却的情况下，异物容易附着到与冷却辊接触的基板背面。另外，这样的课题不仅限于将薄型基板作为处理对象的装置，而且在需要冷却基板的基板处理装置中也是大致共通的。

本发明的目的在于提供一种，能抑制异物附着到基板并能对基板进行冷却的基板处理装置以及基板处理方法。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式为基板处理装置。基板处理装置具备：等离子生成部，在配置基板的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部，其隔着冷却空间与所述基板相对，并具有向所述冷却空间供给所述工艺气体的供给口；工艺气体供给部，其向所述冷却部供给所述工艺气体；以及连通部，其连通所述冷却空间和所述等离子生成空间，用于将被供给到所述冷却空间的所述工艺气体供给到所述等离子生成空间。

本发明的另一个方式为基板处理方法。基板处理方法包括如下步骤：在等离子生成空间配置基板的步骤：以及一边通过从隔着冷却空间与所述基板相对的冷却部向所述冷却空间供给所述工艺气体来冷却所述基板，一边通过将被供给到所述冷却空间中的所述工艺气体经由所述基板和所述冷却部之间的间隙而供给到所述等离子生成空间并生成所述工艺气体的等离子，从而进行基板处理的步骤。

根据上述基板处理装置或者是基板处理方法，由于能利用被供给到冷却部与基板之间的冷却空间的气体来冷却基板，所以与通过基板和冷却部的面接触而进行的冷却相比，能抑制异物附着到基板。此外，冷却用气体是以等离子为原料气体的工艺气体，并且经由冷却空间供给到等离子生成空间。因此，冷却用气体还可以作为等离子生成用气体有效地利用。

在上述基板处理装置中，优选地，所述冷却部包括底座部，在该底座部形成有包括所述供给口的气体流道，所述基板处理装置进一步具备与所述底座部连接的冷却源。

根据上述构成，由于底座部被冷却源冷却，所以通过该底座部的气体流道的工艺气体也被冷却。因此，能提高基板的冷却效果。

在上述基板处理装置中，优选地，所述供给口是相对于所述冷却部的基板相对面的中心点对称配置的多个供给口中的一个。