[发明专利]静电保护器件和静电保护电路

权利要求书

1.一种静电保护器件，其包括：

绝缘体；

半导体层，所述半导体层形成在所述绝缘体上且包括器件形成区和器件分离区，

所述器件形成区具有依次布置的初级第一导电型杂质扩散层、本体区、次级第一导电型杂质扩散层和第二导电型区域，所述第二导电型区域包括与所述本体区电分离的第二导电型杂质扩散层，其中，在所述静电保护器件的静电放电操作期间，所述第二导电型区域和所述次级第一导电型杂质扩散层之间形成PN结，

所述器件分离区包括围绕所述器件形成区的器件分离层；和

栅极电极，所述栅极电极被设置在所述本体区上，所述栅极电极与所述本体区之间插入有绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的静电保护器件，其中，

所述栅极电极和所述第二导电型杂质扩散层具有共同的第一电位，且

所述初级第一导电型杂质扩散层具有第二电位。

3.根据权利要求2所述的静电保护器件，其中，

所述第一电位是电源电位或参考电位，且

所述第二电位是信号电位。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电保护器件，其中，所述本体区在面内方向上被所述初级第一导电型杂质扩散层、所述次级第一导电型杂质扩散层和所述器件分离层围绕，且在厚度方向上被插入在所述绝缘体与所述绝缘膜之间。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的静电保护器件，其中，所述次级第一导电型杂质扩散层在面内方向上被所述本体区、所述第二导电型区域和所述器件分离层围绕，且在厚度方向上被插入在所述绝缘体与所述绝缘膜或任何其它绝缘膜之间。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的静电保护器件，其中，

所述初级第一导电型杂质扩散层和所述次级第一导电型杂质扩散层均是P型杂质扩散层，且

所述第二导电型杂质扩散层是N型杂质扩散层。

7.根据权利要求6所述的静电保护器件，其中，

所述栅极电极和所述第二导电型杂质扩散层具有共同的电源电位，且

所述初级第一导电型杂质扩散层具有信号电位。

8.根据权利要求6所述的静电保护器件，其中，

所述初级第一导电型杂质扩散层连接至阳极电极，且

所述第二导电型杂质扩散层连接至阴极电极。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的静电保护器件，其中，

所述初级第一导电型杂质扩散层和所述次级第一导电型杂质扩散层均是N型杂质扩散层，且

所述第二导电型杂质扩散层是P型杂质扩散层。

10.根据权利要求9所述的静电保护器件，其中，

所述栅极电极和所述第二导电型杂质扩散层具有共同的参考电位，且

所述初级第一导电型杂质扩散层具有信号电位。

11.根据权利要求9所述的静电保护器件，其中，

所述初级第一导电型杂质扩散层连接至阴极电极，且

所述第二导电型杂质扩散层连接至阳极电极。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的静电保护器件，其中，所述绝缘体是SOI结构中的埋入氧化膜或SOS结构中的蓝宝石基板。