[发明专利]谐振器以及谐振装置有效

专利信息
申请号: 201580041358.1 申请日: 2015-10-20
公开(公告)号: CN106664075B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 中村大佐;中谷宏 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/24 分类号: H03H9/24;B06B1/06;H01L41/09
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 谐振器 以及 谐振 装置
【权利要求书】:

1.一种谐振器,具备:

振动部,其具有半导体层、形成在所述半导体层上的第一压电膜、形成于所述第一压电膜的上部的第一上部电极;

保持体,其将所述振动部保持为能够振动;

连结部,其连结所述振动部和所述保持体;以及

振动抑制部,其具有形成在所述保持体上的第二压电膜和形成于所述第二压电膜的上部的一部分的第二上部电极,

所述半导体层、所述保持体以及所述连结部是包括硅的简并半导体。

2.根据权利要求1所述的谐振器,其中,

还具备第一下部电极,所述第一下部电极形成于所述第一压电膜与所述半导体层之间。

3.根据权利要求1或2所述的谐振器,其中,

还具备第二下部电极,所述第二下部电极形成于所述第二压电膜与所述保持体之间。

4.根据权利要求1或2所述的谐振器,其中,

所述第一压电膜由与所述第二压电膜相同的材料形成,

所述第一上部电极由与所述第二上部电极相同的材料形成。

5.根据权利要求2所述的谐振器,其中,

所述谐振器还具备:

第二下部电极,其形成于所述第二压电膜与所述保持体之间,

所述第一下部电极由与所述第二下部电极相同的材料形成。

6.根据权利要求1或2所述的谐振器,其中,

所述第二上部电极接地。

7.根据权利要求1或2所述的谐振器,其中,

所述第二压电膜的结晶性比所述第一压电膜的结晶性低。

8.一种谐振装置,具备:

谐振器,其是权利要求1~7中任一项所述的谐振器;

盖体,其覆盖所述谐振器;以及

外部端子,其与所述谐振器电连接。

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