[发明专利]具有自对准背侧特征的半导体器件

权利要求书

1.一种用于提供半导体器件的方法，包括：

在绝缘体上半导体晶片上形成栅极，其中所述绝缘体上半导体晶片包括器件区、埋藏绝缘体和基板；

使用所述栅极作为掩模向所述绝缘体上半导体晶片应用处理，其中所述处理在所述埋藏绝缘体中创建经处理的绝缘体区；

移除所述基板的至少一部分；以及

在移除所述基板的该部分之后，从所述埋藏绝缘体选择性地移除所述经处理的绝缘体区以形成与所述栅极对准的剩余的绝缘体区并且暴露所述器件区的有源层的背侧。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在向所述绝缘体上半导体晶片应用所述处理之后，将处理晶片接合到所述绝缘体上半导体晶片；

其中移除所述基板的至少一部分包括移除整个基板；以及

其中当所述基板被移除时以及在所述基板被移除之后，所述处理晶片向所述绝缘体上半导体晶片的所述器件区提供稳定力。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在移除所述经处理的绝缘体区之后，在所述剩余的绝缘体区上形成热传导层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述处理包括将掺杂剂离子注入到所述埋藏绝缘体中；以及

使用气相蚀刻剂来移除所述经处理的绝缘体。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述掺杂剂离子具有比碳小的原子重量；以及

所述蚀刻剂是氢氟酸。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在移除所述经处理的绝缘体区之后，移除所述器件区的一部分；

其中所述绝缘体上半导体晶片包括第二埋藏绝缘体和第二器件区；

其中所述栅极包括用于形成在所述第二器件区中的沟道的栅电极；以及

其中所述器件区包括用于形成在所述第二器件区中的沟道的附加栅电极。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述第二埋藏绝缘体比所述埋藏绝缘体薄。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在移除所述经处理的绝缘体区之后，在所述剩余的绝缘体区上形成应变层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：

移除所述经处理的绝缘体区暴露了所述器件区；并且

形成所述应变层包括在所述剩余的绝缘体区和所述器件区上毯覆沉积应变材料。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述剩余的绝缘体和所述栅极二者都与形成在所述器件区中的沟道接触；以及

所述应变层增强所述沟道中的载流子的迁移率。

11.一种用于提供半导体器件的方法，包括：

在绝缘体上半导体晶片的顶侧上并且在有源层上方形成栅极；

在形成所述栅极之后，向所述绝缘体上半导体晶片的所述顶侧应用处理以在所述绝缘体上半导体晶片的绝缘体层中形成经处理的区域；

从所述绝缘体上半导体晶片的背侧移除基板以暴露所述绝缘体层；以及

在移除所述基板之后，从所述绝缘体层选择性地移除所述经处理的区域以暴露所述有源层的背侧并形成与所述栅极对准的剩余的绝缘体区；

其中所述栅极被用来图案化所述经处理的区域，从而用自对准的方式形成所述经处理的区域。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：

所述处理包括将离子注入到所述绝缘体层中；以及

使用气相蚀刻剂移除所述经处理的区域。