[发明专利]具有改进的非钳位感应开关抗扰性的晶体管结构

权利要求书

1.一种半导体晶体管结构，包括：

具有第一导电类型的衬底；

与所述衬底相邻的外延层，所述外延层具有所述第一导电类型；

位于所述外延层之上的栅极结构，

在所述外延层内的具有第二导电类型的漏区；

在所述外延层内的具有所述第二导电类型的源区；

在所述外延层内的具有所述第一导电类型的体结构，所述体结构至少部分地形成于所述栅极结构下方并在所述源区下方横向延伸，其中所述外延层的掺杂少于所述体结构；

导电沟槽状馈通元件，穿过所述外延层并接触所述第一导电类型衬底，并且穿过并接触所述第二导电类型源区；

具有所述第一导电类型的第一槽区，形成于所述源区下方且横向靠近并接触所述体结构，其中所述第一槽区与所述沟槽状馈通元件接触；和

至少部分地形成于所述第一槽区下方的第二槽区，其中所述第二槽区的掺杂少于所述第一槽区，其中所述第二槽区从所述第一槽区延伸到所述衬底并与所述衬底接触。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体管结构，其中所述体结构的掺杂少于所述第一槽区。

3.根据权利要求1所述的半导体晶体管结构，其中所述漏区包括：

第一区域，与漏极接触可接近并与所述栅极结构分隔开；和

第二区域，被轻掺杂并且至少部分地位于所述外延层内的所述第一区域下方，其中所述第二区域至少部分地延伸到所述栅极结构下方，其中所述第二区域的掺杂少于所述第一区域，其中所述第二区域与所述栅极结构的边缘粗略对准。

4.根据权利要求1所述的半导体晶体管结构，其中所述源区与所述栅极结构的边缘粗略对准。

5.根据权利要求1所述的半导体晶体管结构，其中所述栅极结构包括：

栅极氧化物层；

硅化钨层；和

夹在所述栅极氧化物层和所述硅化钨层之间的栅极多晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体晶体管结构，其中所述第一导电类型包括p型，并且其中所述第二导电类型包括n型。

7.一种半导体晶体管结构，包括：

具有第一导电类型的衬底；

与所述衬底相邻的外延层，所述外延层具有所述第一导电类型；

靠近并位于所述外延层之上的栅极结构，

在所述外延层内的具有第二导电类型的漏区；

在所述外延层内的具有所述第二导电类型的源区；

在所述外延层内的具有所述第一导电类型的体结构，所述体结构至少部分地形成于所述栅极结构下方并在所述源区下方横向延伸，其中所述外延层的掺杂少于所述体结构；

具有所述第一导电类型的第一槽区，形成于所述源区下方并且横向靠近并接触所述体结构；

至少部分地形成于所述第一槽区下方的第二槽区，其中所述第二槽区的掺杂少于所述第一槽区，其中所述第二槽区从所述第一槽区延伸到所述衬底并与所述衬底接触；

导电沟槽状馈通元件，穿过并接触所述第一槽区；

其中所述漏区包括与漏极接触可接近并与所述栅极结构分隔开的第一区域，和至少部分地位于所述外延层内的所述第一区域下方的、比所述第一区域掺杂更少的第二区域，使得所述第二区域至少部分地延伸至所述栅极结构下方，其中所述第二区域与所述栅极结构的边缘粗略对准；和

位于所述第一区域下方的具有第一导电类型的钳位区，使得所述第二区域将所述第一区域和所述钳位区分离开。

8.根据权利要求7所述的半导体晶体管结构，其中所述钳位区与所述第一区域的边缘粗略对准。

9.根据权利要求7所述的半导体晶体管结构，其中所述钳位区与轻掺杂的所述第二区域的边缘内粗略对准。

10.根据权利要求7所述的半导体晶体管结构，其中所述体结构的掺杂少于所述第一槽区。