[发明专利]半导体输送部件和半导体载置部件在审
申请号: | 201580044887.7 | 申请日: | 2015-08-18 |
公开(公告)号: | CN106663650A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 前野洋平 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;C01B32/158;H01L21/683 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 输送 部件 | ||
1.一种半导体输送部件,其具有输送基材和半导体载置部件,其特征在于:
该半导体载置部件包含纤维状柱状结构体,
该纤维状柱状结构体为具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体,
该纤维状柱状物沿相对于该输送基材大致垂直的方向取向,
该纤维状柱状结构体的与该输送基材相反的一侧的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为2.0以上。
2.如权利要求1所述的半导体输送部件,其特征在于:
在所述输送基材与所述半导体载置部件之间具有粘合剂。
3.如权利要求1或2所述的半导体输送部件,其特征在于:
所述纤维状柱状结构体为具备多个碳纳米管的碳纳米管集合体。
4.如权利要求3所述的半导体输送部件,其特征在于:
所述碳纳米管具有多层,该碳纳米管的层数分布的分布幅度为10层以上,该层数分布的最频值的相对频度为25%以下。
5.如权利要求4所述的半导体输送部件,其特征在于:
所述碳纳米管的长度为300μm以上。
6.如权利要求3所述的半导体输送部件,其特征在于:
所述碳纳米管具有多层,该碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下,该最频值的相对频度为30%以上。
7.如权利要求6所述的半导体输送部件,其特征在于:
所述碳纳米管的长度为500μm以上。
8.一种半导体载置部件,其用于载置半导体,其特征在于:
包含具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体,
该纤维状柱状结构体的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为2.0以上。
9.如权利要求8所述的半导体载置部件,其特征在于:
所述纤维状柱状结构体为具备多个碳纳米管的碳纳米管集合体。
10.如权利要求9所述的半导体载置部件,其特征在于:
所述碳纳米管具有多层,该碳纳米管的层数分布的分布幅度为10层以上,该层数分布的最频值的相对频度为25%以下。
11.如权利要求10所述的半导体载置部件,其特征在于:
所述碳纳米管的长度为300μm以上。
12.如权利要求9所述的半导体载置部件,其特征在于:
所述碳纳米管具有多层,该碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下,该最频值的相对频度为30%以上。
13.如权利要求12所述的半导体载置部件,其特征在于:
所述碳纳米管的长度为500μm以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造