[发明专利]半导体连接用的Cu柱用圆柱状形成物有效
| 申请号： | 201580045029.4 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106796895B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;寺岛晋一 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/12;H01L23/50 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 连接 cu 圆柱状 形成 | ||
1.一种Cu柱，其特征在于，
满足以下条件(a)、(b)、(c)中的一个或两个以上，且余量为Cu和不可避免的杂质，
(a)：含有总计为0.1质量％以上且5.0质量％以下的Pd、Pt、Au、Ni中的一种或两种以上；
(b)：含有3质量ppm以上且15质量ppm以下的Ti；
(c)：含有5质量ppm以上且150质量ppm以下的P，
该Cu柱是直径为50～100μm的圆柱形状，该圆柱的高度/直径比为2.0以上，
该Cu柱被用于倒装芯片。
2.根据权利要求1所述的Cu柱，其特征在于，在所述Cu柱中作为杂质而含有的S含量和Cl含量的总计为1质量ppm以下。
3.一种Cu柱，其特征在于，
满足以下条件(a)、(b)、(c)中的一个或两个以上，且余量为Cu和不可避免的杂质，
(a)：含有总计为0.1质量％以上且5.0质量％以下的Pd、Pt、Au、Ni中的一种或两种以上；
(b)：含有3质量ppm以上且15质量ppm以下的Ti；
(c)：含有5质量ppm以上且150质量ppm以下的P，
该Cu柱是直径为100～400μm的圆柱形状，
圆柱的高度为200～800μm，
该Cu柱被用于倒装芯片。
4.根据权利要求3所述的Cu柱，其特征在于，在所述Cu柱中作为杂质而含有的S含量和Cl含量的总计为1质量ppm以下。
5.一种半导体芯片，是将权利要求1或3所述的Cu柱与电极连接而成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
