[发明专利]气相生长装置及气相生长方法

权利要求书

1.一种气相生长装置，其特征在于，具备：

n个反应室，n为2以上的整数；

主气体供给路，向所述n个反应室供给工艺气体；

主质量流量控制器，设置于所述主气体供给路，控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量；

分支部，将所述主气体供给路分支；

n条副气体供给路，在所述分支部从所述主气体供给路分支，向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体；

n个第一截止阀，设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间，以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置，能够截断所述工艺气体的流动；以及

n个副质量流量控制器，设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。

2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

还具备控制部，所述控制部基于所述n个反应室的任一个反应室中的异常的检测判断是否截断所述工艺气体，在判断为要截断的情况下，将能够截断所述工艺气体向所述检测到异常的反应室的流动的所述第一截止阀关闭，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的所述反应室供给的所述工艺气体的总流量，基于计算出的总流量控制所述主质量流量控制器。

3.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

还具备n个第二截止阀，所述n个第二截止阀设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，能够截断所述工艺气体的流动。

4.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

所述分支部与所述n个第一截止阀相邻设置。

5.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

所述分支部与所述n个第一截止阀之间的距离为20cm以上30cm以下。

6.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

还具备内置所述分支部和所述n个第一截止阀的框体。

7.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

所述框体为金属。

8.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

所述分支部和所述n个第一截止阀是一体化的一个零件。

9.一种气相生长方法，其特征在于，

向n个反应室的各个搬入基板，n为2以上的整数，

向主气体供给路导入被控制为规定的流量的工艺气体，

向从所述主气体供给路分支的n条副气体供给路分别导入被控制流量而分流的所述工艺气体，

从所述n条副气体供给路向所述n个反应室分别供给所述工艺气体，在所述基板上成膜，

在所述n个反应室中的任一个反应室产生了异常的情况下，瞬时截断所述工艺气体向与所述产生了异常的反应室连接的所述副气体供给路的导入，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的反应室供给的所述工艺气体的总流量，控制向所述主气体供给路导入的所述工艺气体的流量。

10.根据权利要求9所述的气相生长方法，其特征在于，

在成膜中检测到所述异常的情况下，维持所述工艺气体的供给直至成膜条件发生变化，之后，瞬时截断所述工艺气体向与所述产生了异常的反应室连接的所述副气体供给路的导入。