[发明专利]气相生长装置及气相生长方法

说明书

技术领域

本发明涉及供给气体而进行成膜的气相生长装置及气相生长方法。

背景技术

作为成膜高品质的半导体膜的方法，存在通过气相生长使单晶膜在晶片等基板上生长的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中，将晶片载置在被保持为常压或者减压状态的反应室内的支撑部上。然后，一边对该晶片加热，一边从反应室上部的例如喷气板向晶片表面供给作为成膜原料的源气体等工艺气体。在晶片表面发生源气体的热反应等，从而在晶片表面成膜出外延单晶膜。

近年来，作为发光器件和功率器件的材料，GaN(氮化镓)类的半导体器件受到关注。作为成膜出GaN类半导体膜的外延生长技术，存在有机金属气相生长法(MOCVD法)。在有机金属气相生长法中，作为源气体，可以使用例如三甲基镓(TMG)、三甲基铟(TMI)、三甲基铝(TMA)等有机金属、以及氨(NH₃)等。

而且，为了提高生产性，有时使用具备多个反应室的气相生长装置。专利文献1中记载有在使用具备多个反应室的气相生长装置进行成膜时，在一个反应室的处理中产生了异常的情况下，停止处理的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-49278号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明要解决的课题在于，提供即使在一个反应室内的处理中产生了异常的情况下，也能够通过其它反应室正常地继续进行处理的气相生长装置及气相生长方法。

用于解决课题的手段

本发明的一方案的气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给路，向所述n个反应室供给工艺气体；主质量流量控制器，设置于所述主气体供给路，控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量；分支部，将所述主气体供给路分支；n条副气体供给路，在所述分支部从所述主气体供给路分支，向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体；n个第一截止阀，设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间，以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置，能够截断所述工艺气体的流动；以及n个副质量流量控制器，设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。

优选为还具备控制部，所述控制部基于所述n个反应室的任一个反应室中的异常的检测判断是否截断所述工艺气体，在判断为要截断的情况下，将能够截断所述工艺气体向所述检测到异常的反应室的流动的所述第一截止阀关闭，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的所述反应室供给的所述工艺气体的总流量，基于计算出的总流量控制所述主质量流量控制器。

在上述方案的气相生长装置中，优选还具备n个第二截止阀，所述n个第二截止阀设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，能够截断所述工艺气体的流动。

本发明的一方案的气相生长方法中，向n个反应室的各个搬入基板，n为2以上的整数，向主气体供给路导入被控制为规定的流量的工艺气体，向从所述主气体供给路分支的n条副气体供给路分别导入被控制流量而分流的所述工艺气体，从所述n条副气体供给路向所述n个反应室分别供给所述工艺气体，在所述基板上成膜，在所述n个反应室中的任一个反应室产生了异常的情况下，瞬时截断所述工艺气体向与所述产生了异常的反应室连接的所述副气体供给路的导入，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的反应室供给的所述工艺气体的总流量，控制向所述主气体供给路导入的所述工艺气体的流量。

在上述方案的气相生长方法中，优选为，在成膜中检测到所述异常的情况下，维持所述工艺气体的供给直至成膜条件发生变化，之后，瞬时截断所述工艺气体向与所述产生了异常的反应室连接的所述副气体供给路的导入。

发明效果

根据本发明，可以提供即使在一个反应室内的处理中产生了异常的情况下，也能够通过其它反应室正常地继续进行处理的气相生长装置及气相生长方法。

附图说明

图1是实施方式的气相生长装置的构成图。

图2是实施方式的分支部和第一截止阀的说明图。

图3是实施方式的分支部和第一截止阀的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。