[发明专利]银键合线及其制造方法有效
申请号: | 201580045132.9 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN106663642B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 金基镐;卓容德;康一太;金炳吉;金泰烨 | 申请(专利权)人: | 贺利氏德国有限两合公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/49 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张华;李炳爱 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 银键合线 及其 制造 方法 | ||
1.键合线,其包含:
90.0至99.0重量%的银(Ag);0.2至2.0重量%的金(Au);0.2至4.0重量%的钯(Pd)、铂(Pt)或铑(Rh)或其组合;10至1000 ppm的掺杂剂;和不可避免的杂质,
其中(a)/(b)的比率为3至5:
(a)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<100>取向的晶粒的量,且
(b)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<111>取向的晶粒的量,
其中在所述线的最终拉制步骤之前,所述线暴露在中间退火步骤中,
其中所述中间退火步骤包括第一分批中间退火步骤;第二连续中间退火步骤和第三连续中间退火步骤,且
其中第一中间退火步骤在400至800℃下进行50至150分钟并包括将所述线冷却50至150分钟的步骤。
2.权利要求1的键合线,其中:
所述掺杂剂是钙(Ca)。
3.权利要求2的键合线,其中:
钙含量为10至100 ppm。
4.权利要求1的键合线,其中:
所述键合线的孪晶界数为4至14%。
5.权利要求1的键合线,其中:
所述键合线的(b)/(c)比率为1.5至8:
(b)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<111>取向的晶粒的量,且
(c)是指泰勒因子。
6.权利要求1的键合线,其中:
纵向上的晶粒平均粒度为0.8至1.2微米。
7.权利要求1的键合线,其中:
所述线通过垂直连续铸造法暴露在铸造步骤中,且
所述垂直连续铸造法在1150至1350℃下进行。
8.权利要求7的键合线,其中:
所述垂直连续铸造法在4至9 cm/min的铸造速度下进行。
9.制造键合线的方法,其包括:
提供线原材料;
通过垂直连续铸造法铸造所述线原材料;
相继拉制所述铸造线直至达到最终直径;和
将所述拉制的线退火,
在所述线的最终拉制步骤之前进行中间退火步骤三次,且
所述线原材料包含90.0至99.0重量%的银(Ag);0.2至2.0重量%的金(Au);0.2至4.0重量%的钯(Pd)、铂(Pt)或铑(Rh)或其组合;10至1000 ppm的掺杂剂;和不可避免的杂质,
其中所述中间退火步骤包括第一分批中间退火步骤;第二连续中间退火步骤;和第三连续中间退火步骤,
其中:
通过所述方法制成的键合线的(a)/(b)的比率为3至5:
(a)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<100>取向的晶粒的量,且
(b)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<111>取向的晶粒的量。
10.权利要求9的制造键合线的方法,其中:
所述掺杂剂是钙,且钙含量为10至100 ppm。
11.权利要求9的制造键合线的方法,其中:
第一中间退火步骤在400至800℃下进行50至150分钟并包括将所述线冷却50至150分钟的步骤。
12.权利要求9的制造键合线的方法,其中:
第二中间退火步骤和第三中间退火步骤具有相同工艺条件。
13.权利要求9的制造键合线的方法,其中:
在通过垂直连续铸造法铸造所述线原材料中,
所述垂直连续铸造法在1150至1350℃下进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造