[发明专利]银键合线及其制造方法有效
申请号: | 201580045132.9 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN106663642B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 金基镐;卓容德;康一太;金炳吉;金泰烨 | 申请(专利权)人: | 贺利氏德国有限两合公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/49 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张华;李炳爱 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 银键合线 及其 制造 方法 | ||
提供键合线和制造键合线的方法。该键合线包含90.0至99.0重量%的银(Ag);0.2至2.0重量%的金(Au);0.2至4.0重量%的钯(Pd)、铂(Pt)或铑(Rh)或其组合;10至1000 ppm的掺杂剂;和不可避免的杂质,其中(a)/(b)的比率为3至5。(a)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<100>取向的晶粒的量,且(b)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<111>取向的晶粒的量。
(a) 发明领域
本发明的一个实施方案涉及具有改进的特性的键合线。
此外,本发明的另一实施方案涉及具有根据本发明的一个实施方案的键合线的微电子组件和/或制造根据本发明的一个实施方案的键合线的方法。
(b) 相关技术描述
在制造半导体器件的方法中使用键合线,以在半导体器件的制造中将集成电路电连接到印刷电路板上。此外,该键合线在电力电子应用中用于将晶体管和二极管电连接到外壳的引脚(pin)或焊盘(pad)上。该键合线最初用金制造,目前用低价材料如银制造。银线具有非常有利的电导率和热导率,但银线的键合本身具有问题。
在本发明中,术语键合线包括所有横截面形状和所有典型的线直径。但是,优选使用具有圆形横截面和短直径的键合线。
由于银比金便宜,最近的几个研究和发展的目标是具有使用银作为主要复合材料的芯材的键合线。但是,必须进一步改进该键合线本身和键合工艺的键合线技术。
这一背景部分中公开的上述信息仅用于增强对发明背景的理解并因此可能含有不构成本国的本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
为了提供改进的键合线,作出本发明。
此外,为了提供由于具有有利的可加工性和没有相互连接困难而具有降低成本的优点的键合线,作出本发明。
此外,为了提供具有表现出优异可键合性的优点的键合线,作出本发明。
此外,为了提供具有表现出改进的成弧(looping)特性的优点的键合线,作出本发明。
此外,为了提供具有解决线之间的粘性的优点的键合线,作出本发明。
本发明的一个示例性实施方案提供一种键合线,其包含90.0至99.0重量%的银(Ag);0.2至2.0重量%的金(Au);0.2至4.0重量%的钯(Pd)、铂(Pt)或铑(Rh)或其组合;10至1000 ppm的掺杂剂;和不可避免的杂质,其中(a)/(b)的比率为3至5。
在此,(a)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<100>取向的晶粒的量,且(b)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<111>取向的晶粒的量。
任一实施方案的键合线,其中:
所述掺杂剂可以是钙(Ca)。
任一实施方案的键合线,其中:
所述掺杂剂可以是钙,钙含量可以为10至100 ppm。
任一实施方案的键合线,其中:
所述键合线的孪晶界数可以为4至14%。
任一实施方案的键合线,其中:
所述键合线的(b)/(c)比率可以为1.5至8。
在此,(b)是指在线纵向上的晶体取向<hkl>中具有<111>取向的晶粒的量,且(c)是指泰勒因子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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