[发明专利]用于包括唯一标识符的封装体的正面封装级别序列化

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供多个半导体裸芯，其中每个半导体裸芯包括有源表面和与所述有源表面相对的背面；

形成在晶片中的所述多个半导体裸芯中的每个的所述有源表面上方延伸的堆积互连结构；

形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记作为所述堆积互连结构中的层的一部分，同时形成所述堆积互连结构的所述层，其中所述堆积互连结构的所述层包括用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记和用于所述半导体器件的功能性二者，其中每个唯一识别标记传达其相应的半导体裸芯的唯一标识；以及

将所述多个半导体裸芯单片化成多个半导体器件,

其中由所述每个唯一识别标记传达的其相应的所述半导体裸芯的所述唯一标识包括：源晶片标识、和所述半导体裸芯在所述源晶片中的x、y位置。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成所述堆积互连结构的所述层作为导电层；

形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记作为所述导电层的第一部分；以及

形成所述导电层的第二部分作为重新分布层(RDL)。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述堆积互连结构中、并且远离所述半导体器件的外表面形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记，使得用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记免受所述半导体封装体的外表面处的损坏。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述堆积互连结构中的位置处形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记，所述位置从所述半导体器件的外部是光学检测的。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成所述唯一识别标记作为可机读的二维码或字母数字标记。

6.根据权利要求1所述的方法，其中由所述相应的唯一识别标记中的每个传达的信息还包括：重构的晶片或面板标识，以及所述半导体器件在所述重构的晶片中的x、y位置。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述堆积互连结构之前，通过在所述多个半导体裸芯周围设置密封剂来形成所述重构的晶片。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供多个半导体裸芯，其中每个半导体裸芯包括有源表面和与所述有源表面相对的背面；

形成在所述多个半导体裸芯中的每个的所述有源表面上方延伸的功能层，所述功能层还包括用于所述多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记，

其中每个唯一识别标记传达其相应的半导体裸芯的唯一标识；以及

单片化所述多个半导体裸芯，

其中由所述每个唯一识别标记传达的其相应的所述半导体裸芯的所述唯一标识包括：源晶片标识、源晶片、所述半导体裸芯在所述源晶片中的x、y位置、重构的晶片或面板标识、以及所述半导体器件在所述重构的晶片中的x、y位置。

9. 根据权利要求8所述的方法，还包括：

形成包括堆积互连结构的所述功能层；以及

在形成所述堆积互连结构的同时，形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记。

10. 根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记作为所述堆积互连结构的第一部分；以及

形成所述堆积互连结构的第二部分作为重新分布层(RDL)。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括采用无掩模图案化系统在所述堆积结构中形成所述唯一识别标记和所述功能层。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括形成远离半导体封装体的外表面的用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记，使得用于所述多个半导体裸芯中的每个的所述唯一识别标记免受所述半导体器件的外表面处的损坏。