[发明专利]用于包括唯一标识符的封装体的正面封装级别序列化有效
申请号: | 201580045860.X | 申请日: | 2015-08-26 |
公开(公告)号: | CN106796892B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | C.毕晓普;S.A.丹尼尔;C.M.斯坎伦 | 申请(专利权)人: | 德卡技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/538 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 包括 唯一 标识符 封装 正面 级别 序列 | ||
一种制造半导体器件的方法,该方法可包括提供多个半导体裸芯,其中每个半导体裸芯包括有源表面和与所述有源表面相对的背面。该方法可包括形成在所述晶片中的多个半导体裸芯中的每个的有源表面上方延伸的堆积互连结构,以及形成作为堆积互连结构中的层的一部分的用于多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记,同时形成所述堆积互连结构的层。堆积互连结构的层可包括用于多个半导体裸芯中的每个的唯一识别标记和用于半导体器件的功能性二者。每个唯一识别标记可传达其相应的半导体裸芯的唯一标识。该方法还可包括将多个半导体裸芯单片化成多个半导体器件。
相关专利申请
本专利申请要求提交于2014年8月26日的美国临时申请No.62/042,183的权益,该临时申请的公开内容全文据此以引用方式并入。
技术领域
本公开整体涉及半导体器件和封装体,更具体地讲涉及使用封装级别序列化进行半导体封装体和封装体部件(诸如半导体裸芯)的标识、跟踪或它们二者。
背景技术
半导体器件普遍存在于现代电子产品中。半导体器件在电子部件的数量和密度方面有差别。分立半导体器件一般包含一种类型的电子部件,例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包含几百到几百万个电子部件。集成半导体器件的实例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD)。
半导体器件执行宽泛范围的功能,诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、将太阳光转换成电力以及为电视显示器创建视觉投影。半导体器件存在于娱乐、通信、功率变换、网络、计算机和消费品的领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。
半导体器件充分利用半导体材料的电气性质。半导体材料的原子结构允许通过施加电场或基极电流或者通过掺杂工艺来操纵其电导率。掺杂的步骤将杂质引入到半导体材料中以操纵和控制半导体器件的电导率。
半导体器件包含有源和无源电气结构。包括双极型和场效应晶体管的有源结构控制电流的流动。通过改变掺杂水平和电场或基极电流的施加,晶体管促进或限制电流的流动。包括电阻器、电容器和电感器的无源结构产生执行各种电气功能所必需的电压与电流之间的关系。无源和有源结构被电连接以形成电路,所述电路使半导体器件能够执行高速计算和其他有用功能。
半导体器件一般是使用两个复杂的制造工艺(即,前端制造和后端制造)进行制造,每个制造工艺可能涉及几百个步骤。前端制造涉及在半导体晶片的表面上形成多个半导体裸芯。如本文所用的术语“半导体裸芯”指代单数和复数两者形式的词,并且因此可以指代单个半导体器件和多个半导体器件两者。在前端制造、或在原生晶片上制造半导体裸芯期间,每个半导体裸芯是通常相同的,并且包含通过电连接有源和无源部件形成的电路。单个的半导体裸芯可用标识符诸如半导体裸芯背面上的激光标记来标记,以标识、跟踪半导体裸芯或它们二者。半导体裸芯的标记可在从原生半导体晶片单片化半导体裸芯之前。后端制造可涉及从成晶晶片单片化单个的半导体裸芯并封装该裸芯,以提供结构支撑和环境隔离。半导体裸芯封装体的标记也可发生在后端制造期间。在后端制造期间,半导体裸芯和半导体封装体的标记和标识可通过使用激光标记或油墨印刷实现,以通过封装和测试来识别半导体封装的晶片和带。
发明内容
从说明书和附图以及权利要求书来看,上述和其他方面、特征和优点对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。
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