[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580046019.2 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106796896B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 宫胁正太郎;平野尚彦;浅井昭喜;浅井康富 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
半导体元件(10)，呈一面(11)和另一面(12)处于表面背面的板面关系的矩形板状；
多个电极焊盘，设在上述半导体元件的一面，由相同的金属构成；以及
连接部件(40)，设在上述半导体元件的外侧；
上述多个电极焊盘分别经由由金属构成的键合线而与上述连接部件连接；
在上述多个电极焊盘的各自中，在该电极焊盘与上述键合线之间，形成有由包含该电极焊盘的金属和上述键合线的金属这两者的金属间化合物构成的金属间化合物层；
上述多个电极焊盘包括第1焊盘(21)和第2焊盘(22)，在上述半导体元件的一面，上述第1焊盘(21)位于角部(13)侧，上述第2焊盘(22)位于比上述第1焊盘更远离上述角部的位置；
上述键合线中的连接于上述第1焊盘的第1线材(51)的杨氏模量小于上述键合线中的连接于上述第2焊盘的第2线材(52)的杨氏模量；
由上述第1线材和上述第1焊盘形成的上述金属间化合物层(71)的厚度(d1)比由上述第2线材和上述第2焊盘形成的上述金属间化合物层(72)的厚度(d2)厚。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1焊盘及上述第2焊盘由铝或以铝为主成分的铝合金构成。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1线材由金或以金为主成分的金合金构成，上述第2线材由铜或以铜为主成分的铜合金构成。
4.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
半导体元件(10)，呈一面(11)和另一面(12)处于表面背面的板面关系的矩形板状；
多个电极焊盘，设在上述半导体元件的一面，由相同的金属构成；以及
连接部件(40)，设在上述半导体元件的外侧；
上述多个电极焊盘分别经由由相同的金属构成的键合线(52)而与上述连接部件连接；
上述多个电极焊盘包括第1焊盘(21)和第2焊盘(22)，在上述半导体元件的一面，上述第1焊盘(21)位于角部(13)侧，上述第2焊盘(22)位于比上述第1焊盘更远离上述角部的位置；
在上述第1焊盘上，接合有由杨氏模量比上述键合线的杨氏模量小的金属构成的凸点(53)；
在上述第1焊盘与上述凸点之间，形成有由包含该第1焊盘的金属和该凸点的金属这两者的金属间化合物构成的第1金属间化合物层(73)；
将上述第1焊盘与上述连接部件连接的上述键合线经由上述凸点而与上述第1焊盘键合；
在上述第2焊盘与连接于上述第2焊盘的上述键合线之间，形成有由包含该第2焊盘的金属和该键合线的金属这两者的金属间化合物构成的第2金属间化合物层(72)；
上述第1金属间化合物层的厚度(d3)比上述第2金属间化合物层的厚度(d2)厚。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580046019.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
