[发明专利]防护膜组件、防护膜组件的制造方法及使用了防护膜组件的曝光方法

说明书

本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：配置有防护膜的第1框体；支持上述第1框体的第2框体；贯通上述第1框体的贯通孔；以及在上述第1框体的配置有上述防护膜的面侧覆盖上述贯通孔的过滤器。上述贯通孔可以贯通上述防护膜，上述过滤器可以配置在上述防护膜上。此外，上述过滤器可以与上述防护膜相邻地配置在上述第1框体上。

技术领域

本发明涉及光刻工序所使用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。特别是，本发明涉及远紫外光(Extreme Ultraviolet：EUV)光刻用的防护膜组件、其制造方法以及使用了该防护膜组件的曝光方法。

背景技术

光刻工序中，为了防止在掩模或中间掩模上附着尘埃等，使用了在包围掩模图案的大小的框的一端张紧架设了防护膜的防护膜组件。在这样的防护膜组件被安装在掩模上的状态下，防护膜组件内部的气密性极其高，由于气压变化、温度变化，有时薄膜的防护膜成为松弛或膨胀的状态。这样在防护膜失去平滑性的情况下，不仅使防护膜的光学特性变化，而且在凹凸的程度剧烈的情况下，有时防护膜与掩模接触，或碰到收纳防护膜组件的壳体的盖而损伤防护膜。

作为解决这样的问题的防护膜组件，例如，专利文献1中记载了如下的防护膜组件：在防护膜组件框形成至少一个通气孔，在通气孔中，以不脱落到被框构件、掩模基板和防护膜包围的空间内的方式设置有阻止尘埃等通过的过滤器构件。专利文献2中记载了，在防护膜组件框侧面的至少一部分设置有开口部，使其内面为粘着状的防护膜组件。此外，专利文献3中记载了，在框内部设置有空洞，捕捉通气气体中的异物的防护膜组件。

另一方面，对于设置有过滤器的防护膜组件，为了确实地捕捉微小的尘埃等而必须使过滤器的滤眼细，因此存在过滤器的气体透过速度慢，到压力差被缓和为止花费时间这样的问题。为了解决该问题，专利文献4中记载了下述防护膜组件：将防护膜组件框分割成内侧构件和外侧构件，由耐光性优异的自然显色阳极氧化铝或陶瓷构成内侧构件，由耐力大的铝合金7075-T6构成外侧构件，在防护膜组件框的内部设置有具有3处弯曲部的2个通气孔，在通气孔的内表面设置有用于吸附粉尘的粘着层。

另外，光刻的波长向短波长化发展，作为新一代的光刻技术，EUV光刻的开发推进。EUV光是指软X射线区域或真空紫外线区域的波长的光，是指13.5nm±0.3nm左右的光线。对于光刻，图案的析像极限为曝光波长的1/2左右，即使使用液浸法，也据说图案的析像极限是曝光波长的1/4左右，即使使用ArF激光(波长：193nm)的液浸法，对于其曝光波长，也预想45nm左右为极限。因此，EUV光刻作为与以往的光刻相比能够大幅微细化的革新技术而受到期待。

另一方面，EUV光对于所有物质都易于被吸收，因此，对于EUV光刻，需要使曝光装置内为真空进行曝光。此外，对于所有物质，EUV光的折射率都接近于1，因此不能使用如以往的使用了可见光或紫外光的光刻那样，使用透镜和透射型光掩模的折射光学系统。因此，对于EUV光刻，使用反射型光掩模和镜片的反射光学系统中的曝光是必要的。反射型光掩模，例如，如专利文献5所记载的那样，具有下述结构：在基板上具有Mo层与Si层交替地多次叠层而得的多层反射膜，在反射层上形成有吸收EUV光的吸收层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本实公昭63-39703号公报

专利文献2：日本特开平5-113658号公报

专利文献3：日本特开平5-107747号公报

专利文献4：日本特开2003-107678号公报

专利文献5：日本特开2014-160752号公报

发明内容

发明所要解决的问题