[发明专利]纳米薄雾产生装置的旋转体构造

说明书

本发明的纳米薄雾产生装置的旋转体构造的目的在于使纳米薄雾和负离子的产生量最大化。使呈研钵状的旋转体(2)旋转来产生纳米薄雾，旋转体(2)中，下部浸泡在蓄水槽的水中，在上部设置有薄雾飞散口(22)，在将薄雾飞散口(22)的上端高度处的内壁半径设为上部半径(R1)，将从被蓄水槽的水浸泡的吃水线(L)的高度到薄雾飞散口(22)的上端高度为止的高度设为汲取高度(H)，将在汲取高度(H)的范围内，内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度(θ1)，相对于满足‑R1sin³θ+2Hcosθsin²θ+Hcos³θ＝0即基本构造方程式的θ，将侧面平均角度(θ1)设定为在θ±5％以内。

技术领域

本发明涉及纳米薄雾产生装置的旋转体构造，尤其涉及纳米薄雾产生装置的旋转体构造中的侧面平均角度的设定。

背景技术

以往，已知有利用旋转体的离心力来汲取蓄水槽的水，使纳米薄雾(细微水滴)和负离子产生的纳米薄雾产生装置(例如，专利文献1、2)。

在专利文献1和专利文献2中记载的纳米薄雾产生装置通过使研钵状的旋转体的下部以在蓄水部中淹没的状态旋转，来汲取蓄水部的水并使水从多个细孔飞散，从而产生将水的粒子细微化后的纳米薄雾。

另外，专利文献2中记载的纳米薄雾产生装置能够对在蓄水部中蓄积的水的水位进行检测，并在低水位到高水位之间进行控制。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特开2010-12167号公报(参照权利要求1、段落0011～0018、图2及图3)

专利文献2：日本特开2011-252692号公报(参照权利要求1、段落0009～0014及图1)

发明内容

(发明要解决的问题)

然而，以往，由于没有关于蓄水槽的水的汲取量判断旋转体的内壁的倾斜角度是否被最优化的基准，因此为了使纳米薄雾和负离子的产生量为最大而重复试制和试验来进行设计。因此，存在以下问题：必须对纳米薄雾产生装置的不同用途或规格的每个产品重复进行用于使旋转体的内壁的倾斜角度最优化的试制和试验。

另一方面，近来，由于搭载纳米薄雾产生装置的产品多样化，且为了表现个性也重视设计性，因此，也不得不考虑旋转体的大小和空间，因而，期望在设计的自由度被限制的情况下，有效地使旋转体的内壁的倾斜角度最优化。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其课题在于，提供能够适宜地设定旋转体的侧面平均角度，从而使纳米薄雾和负离子的产生量最大化的纳米薄雾产生装置的旋转体构造

(解决问题的方案)

为了解决上述课题，本发明第一方面的发明是使上部比下部直径大的呈研钵状的旋转体旋转来产生纳米薄雾的纳米薄雾产生装置的旋转体构造，其特征在于，所述旋转体中，所述下部浸泡在蓄水槽的水中，在所述上部设置有薄雾飞散口，所述纳米薄雾产生装置通过使所述旋转体旋转沿该旋转体的内壁汲取所述水并使所述水从所述薄雾飞散口飞散来产生纳米薄雾，将所述薄雾飞散口的上端高度处的内壁半径设为上部半径R1，将从被所述蓄水槽的水浸泡的吃水线的高度到所述薄雾飞散口的上端高度为止的高度设为汲取高度H，将在该汲取高度H的范围内，所述内壁与水平线所成的平均角度设为侧面平均角度θ1，相对于满足-R1sin³θ+2Hcosθsin²θ+Hcos³θ＝0即基本构造方程式的θ，将所述侧面平均角度θ1设定为在θ±5％以内。

<基本构造方程式的推导>