[发明专利]碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法

权利要求书

1.一种用于制造碳化硅单晶衬底的方法，包括：

制备碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及连接所述第一主表面和所述第二主表面的圆周边缘部，当沿着垂直于所述第一主表面的方向观察时，所述圆周边缘部具有直线形的定向平面部、具有第一半径的第一圆弧部、以及在所述定向平面部和所述第一圆弧部之间的接触点；以及

在旋转所述碳化硅单晶衬底的同时研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部，通过研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部来形成第二圆弧部，所述第二圆弧部连接所述定向平面部和所述第一圆弧部并具有小于所述第一半径的第二半径，

其中，研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部包括：

在用第一力将所述第一圆弧部按压在磨石上的同时，来研磨所述第一圆弧部，

在用第二力将所述接触点按压在所述磨石上的同时，来研磨所述接触点，以及

在用第三力将所述定向平面部按压在所述磨石上的同时，来研磨所述定向平面部，

所述第二力大于所述第一力，并且所述第三力大于所述第二力。

2.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅单晶衬底的方法，其中，

所述磨石的结合剂是树脂。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法，其中，

与所述圆周边缘部邻接的所述磨石的研磨表面具有等于或大于25体积％且小于或等于32.5体积％的磨粒密度。

4.根据权利要求1或2所述的用于制造碳化硅单晶衬底的方法，其中，

在研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部中，在旋转所述碳化硅单晶衬底的同时，来研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部，并且

在研磨所述接触点中的所述碳化硅单晶衬底的旋转速度低于在研磨所述第一圆弧部以及研磨所述定向平面部的每个中的所述碳化硅单晶衬底的旋转速度。

5.一种用于制造碳化硅单晶衬底的方法，包括：

制备碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面、以及连接所述第一主表面和所述第二主表面的圆周边缘部，当沿着垂直于所述第一主表面的方向观察时，所述圆周边缘部具有直线形的定向平面部、具有第一半径的第一圆弧部、以及在所述定向平面部和所述第一圆弧部之间的接触点；以及

在旋转所述碳化硅单晶衬底的同时研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部，通过研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部来形成第二圆弧部，所述第二圆弧部连接所述定向平面部和所述第一圆弧部并具有小于所述第一半径的第二半径，

其中，

在研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部中，在旋转所述碳化硅单晶衬底的同时，来研磨所述第一圆弧部、所述接触点和所述定向平面部，并且

在研磨所述接触点中的所述碳化硅单晶衬底的旋转速度低于在研磨所述第一圆弧部以及研磨所述定向平面部的每个中的所述碳化硅单晶衬底的旋转速度。