[发明专利]碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法

说明书

一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。

技术领域

本公开涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。

背景技术

近年来，为了在半导体装置中实现高击穿电压和低损耗等，开始采用碳化硅作为构成半导体装置的材料。

例如，日本特开2013-89937号公报(专利文献1)描述了包括：准备由单晶碳化硅构成的晶锭，通过对晶锭进行切片而得到碳化硅衬底，并且对碳化硅衬底的表面进行研磨。

引文列表

专利文献

专利文献1：日本特开2013-89937号公报

发明内容

技术问题

当在碳化硅单晶衬底上形成碳化硅外延膜时，在碳化硅外延膜的表面中可能发生级差(滑移)。

本公开的目的是提供一种能够抑制碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及其制造方法。

技术方案

根据本公开的碳化硅单晶衬底包括第一主表面、第二主表面和圆周边缘部。第二主表面与第一主表面相反。圆周边缘部连接第一主表面和第二主表面。当沿着垂直于第一主表面的方向观察时，圆周边缘部具有直线形的定向平面部、具有第一半径的第一圆弧部、和连接定向平面部和第一圆弧部并具有小于第一半径的第二半径的第二圆弧部。

根据本公开的用于制造碳化硅单晶衬底的方法包括以下。制备具有第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面、以及连接第一主表面和第二主表面的圆周边缘部的碳化硅单晶衬底。当沿着垂直于第一主表面的方向观察时，圆周边缘部具有直线形的定向平面部、具有第一半径的第一圆弧部、和在定向平面部和第一圆弧部之间的接触点。此外，在旋转所述碳化硅单晶衬底的同时研磨第一圆弧部、接触点和定向平面部。通过研磨第一圆弧部、接触点和定向平面部形成连接定向平面部和第一圆弧部并具有小于第一半径的第二半径的第二圆弧部。

发明的有益效果

根据本公开，能够提供能够抑制碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底及其制造方法。

附图说明

图1是示出根据实施例的碳化硅单晶衬底的结构的示意平面视图。

图2是图1中的区域II的放大图。

图3是沿图1中的线III-III截取的示意剖视图。

图4是示出根据本实施例的用于制造碳化硅单晶衬底的方法的第一步骤的示意平面视图。

图5是示出根据本实施例的用于制造碳化硅单晶衬底的方法的第一步骤的示意剖面图。

图6是示出磨石的研磨表面附近的配置的示意剖视图。

图7是示出根据本实施例的用于制造碳化硅单晶衬底的方法的第二步骤的示意平面视图。

图8是示出根据本实施例的用于制造碳化硅单晶衬底的方法的第三步骤的示意平面视图。

图9是示出根据本实施例的用于制造碳化硅单晶衬底的方法的第四步骤的示意平面视图。