[发明专利]粘着片以及加工物的制造方法

说明书

本发明提供一种粘着片，其中，所述粘着片用于对板状构件照射激光形成改性部，将所述板状构件分割后芯片化，具有基材和设置于所述基材的一个面上的粘着剂层，所述基材对于所述一个面以及所述一个面的相反侧的一面这两个面，于JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所规定的算术平均粗糙度Ra为0.01μm以上、0.2μm以下，所述粘着剂层的厚度为2μm以上、12μm以下。该粘着片被使用于利用激光的切割工序中时，难以产生缺陷且具有优异的拾取性。

技术领域

本发明涉及一种粘着片，其为对板状构件照射激光形成改性部，将该板状构件片化，得到芯片状加工物的粘着片，此外，本发明涉及一种利用所述粘着片，制造芯片等加工物的方法。

背景技术

半导体晶圆在表面形成电路后，在晶圆的背面实施研磨加工，进行调节晶圆厚度的背面研磨工序以及将晶圆片化为所需芯片大小的切割工序。

近年来随着电子仪器外壳尺寸的缩小或利用多叠层芯片的半导体装置的需求增加，作为其构成构件的半导体芯片正持续薄型化中。因此，对于通常厚度为350μm左右的晶圆，要求需薄化至50～100μm或此厚度以下。

作为质地脆弱的构件的晶圆，随着其变薄，加工以及搬运时破损的危险性变高。这种极薄的晶圆若通过高速旋转的切割刀进行裁切，尤其在半导体晶圆的背面，会发生芯片崩裂等，使芯片的抗折强度明显下降。

因此，提出了一种将激光照射于半导体晶圆的内部，选择性地形成改性部的同时形成切割线，以改性部为起点裁切半导体晶圆，即所谓的隐形切割(stealth dicing)法(专利文献1)。根据隐形切割法，以激光照射半导体晶圆内部形成改性部后，将薄的半导体晶圆粘贴于由基材和粘着剂层组成的粘着片(切割片)，通过拉伸切割片，沿着切割线分割(切割)半导体晶圆后，即可以良好的成品率生产半导体芯片。此外，还提出了在将半导体晶圆粘贴于切割片后，通过激光的照射形成改性部。由于通过采用这样的工序形成改性部，不需将切割胶带粘贴在变得脆弱的晶圆上的工序，因此可降低已变得脆弱的晶圆受到破损风险。在这样的情况下，由于激光通常从晶圆未形成电路的面进行照射，因此需要通过切割片来照射激光。

若存在如上所述的、在切割工序中，作为加工方法而使用激光的情况，则还存在一种在切割工序时，作为准确地校准半导体晶圆等板状构件的工具而使用激光的情况。像这些情况的、在切割工序中使用激光时所使用的粘着片(本说明书中，也将此粘着片称为“激光切割片”)在其使用过程中，激光透过此激光切割片时，对激光必须具有优异的透过性才行。

为了满足这样的要求，例如，专利文献2中公开了一种激光切割片，其由基材和形成于其一个面上的粘着剂层形成，其为在300～400nm的波长范围的全光线透过率为60％以上、雾度为20％以下、光梳的幅宽为0.25mm的透过清晰度为30以上的激光切割片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开第2005-229040号公报

专利文献2：专利第5124778号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

专利文献2中，公开了一种激光切割片，作为所述激光切割片，该基材的单面的中心线平均粗糙度Ra比另一个面的中心线平均粗糙度Ra大，以于中心线平均粗糙度Ra较大的面形成粘着剂层而组成，将中心线平均粗糙度Ra为0.3～0.7μm的面作为粘着剂层形成面，基材的该面的相反侧的面的中心线平均粗糙度Ra为0.14μm(专利文献2实施例)。

由于这种激光切割片的作为激光入射侧的面的、基材的粘着剂层形成面的相反侧的面为平滑面，可防止基材表面的激光散射，以实现激光的有效利用。