[发明专利]在微电子中用于铜沉积的流平剂

权利要求书

1.在填充硅通孔或半导体集成电路器件的亚微米特征中有用的水性电解组合物，该组合物包含：

酸；

铜离子；和

包含以下的流平剂：

(A)对应于下式的脂族二(叔胺)

其中R⁷和R²⁰独立地选自具有1至4个碳原子的取代或未取代的脂族烃基，

或

其中B的结构为：

和D的结构为：

t,u,w和y各自独立地为1和6之间的整数，包括端值，v,x,z和n各自独立地为0和6之间的整数，包括端值，R⁷，R⁸，R¹³，R²⁰和R²¹，R²²和R²⁴各自独立地选自含1至4个碳原子的低级烷基取代基，和R⁹至R¹²，R¹⁴至R¹⁹，R²³和R²⁵各自独立地选自氢和含1至4个碳原子的取代或未取代的脂族烃基

与对应于下式的烷化剂的反应产物：

其中：

G选自-O-，O-((A)_r-O)_s-和-((A)_r-O)_s-

A的结构为：

p和r各自独立地为1和6之间的整数，包括端值，s是1和10之间的整数，包括端值，q是0和6之间的整数，包括端值；

R¹，R²，R³，R⁴，R⁵，R⁶和R³⁴各自独立地选自氢和含1至4个碳原子的取代或未取代的脂族烃基；

R³³是具有1至4个碳原子的取代或未取代的脂族烃基，Y是选自由氯离子，溴离子，碘离子，甲苯磺酰基，三氟甲磺酸根，磺酸根，甲磺酸根，甲硫酸根，氟代磺酸根，甲基甲苯磺酸根和对溴苯磺酸根组成的组中的离去基团，Z选自R³⁰和独立地选自与Y相同的组中的离去基团，和R³⁰选自脂族烃基，羟基，烷氧基，氰基，羧基，烷氧羰基和酰氨基，和

当-G-不是单一共价键时，q为至少1。

2.如权利要求1所述的水性电解组合物，其中所述脂族二(叔胺)对应式(II)。

3.如权利要求1所述的组合物，其中Z是选自与Y相同的组中的离去基团。

4.如权利要求3所述的组合物，其中Z是R³⁰。

5.如权利要求4所述的组合物，其中R³⁰是羟基。

6.如权利要求1所述的组合物，其中所述流平剂选自：

其中n在1和30之间，和n-x在1和12之间。

7.如权利要求6所述的组合物，其中n在2和30之间，和n-x在2和12之间。

8.如权利要求6所述的组合物，其中n在5和30之间，和n-x在3和12之间。

9.如权利要求6所述的组合物，其中n在5和20之间，和n-x在3和8之间。

10.在电介质或半导体基础结构上电沉积铜的方法，该方法包括：

使在所述基础结构上含种子导电层的金属化衬底与水性电解沉积组合物接触；和

施加电流到所述电解沉积组合物以在所述衬底上沉积铜；

所述水性电解组合物包含：

铜离子；

酸；

抑制剂；和

如权利要求1所述的流平剂组合物或化合物。