[发明专利]离子过滤器以及其制造方法有效
申请号: | 201580049701.7 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN107078017B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 荒井大辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | H01J47/06 | 分类号: | H01J47/06;G01T1/18;H01J1/46;H01J9/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 过滤器 及其 制造 方法 | ||
1.一种离子过滤器,是使用于电子放大器的离子过滤器,具有:
绝缘性基材;
第一导电层,形成在上述绝缘性基材的一个主面上;
第二导电层,形成在上述绝缘性基材的另一主面上;以及
多个贯通孔,沿着上述绝缘性基材的厚度方向而形成,
上述绝缘性基材的一个主面被配置于上述电子放大器中的电子的移动方向的下游侧,上述绝缘性基材的另一主面被配置于上述电子放大器中的电子的移动方向的上游侧,
形成在上述绝缘性基材的一个主面上的上述第一导电层的第一厚度比上述第二导电层的第二厚度厚,
通过使形成在上述绝缘性基材的一个主面上的上述第一导电层和形成在上述绝缘性基材的另一主面上的上述第二导电层的施加电压反转,来阻止反馈的阳离子。
2.根据权利要求1所述的离子过滤器,其中,
上述离子过滤器与上述电子放大器具备的电子放大膜配合设置,
上述绝缘性基材的一个主面被配置于上述电子放大膜侧,形成在该一个主面上的上述第一导电层的上述第一厚度比形成在上述另一主面上的上述第二导电层的上述第二厚度厚。
3.根据权利要求1或者2所述的离子过滤器,其中,
上述第一导电层的表面部由第一材料形成,上述第二导电层的表面部由与第一材料不同的第二材料形成。
4.根据权利要求1或者2所述的离子过滤器,其中,
上述第一导电层的上述第一厚度为上述第二导电层的上述第二厚度的30倍以下。
5.根据权利要求1或者2所述的离子过滤器,其中,
上述贯通孔的开口率为75%以上。
6.根据权利要求1或者2所述的离子过滤器,其中,
上述离子过滤器的厚度比上述电子放大器具备的电子放大膜的厚度薄,
上述离子过滤器的上述贯通孔的开口部的宽度比上述电子放大膜的贯通孔的直径大,并且
上述离子过滤器的上述贯通孔的开口率比上述电子放大膜的贯通孔的开口率大。
7.根据权利要求1或者2所述的离子过滤器,其中,
对上述离子过滤器施加的电位差是10~20V。
8.一种离子过滤器的制造方法,具有:
准备基材的工序,上述基材具备:绝缘性基材、形成在上述绝缘性基材的一个主面上的导电层、和形成在上述绝缘性基材的另一主面上且厚度比形成在上述一个主面上的导电层薄的导电层;
将形成在上述一个主面上的导电层的规定区域除去来形成规定图案的第一导电层的工序;
从上述一个主面侧照射激光或者使用蚀刻液来将上述绝缘性基材的与上述规定区域对应的区域除去的工序;以及
使蚀刻液从除去了上述规定区域的上述基材的两面侧起作用来将形成在上述另一主面上的导电层中的与上述规定区域对应的区域除去的工序。
9.一种离子过滤器的制造方法,具有:
准备基材的工序,上述基材具备:绝缘性基材、形成在上述绝缘性基材的一个主面上的导电层、和形成在上述绝缘性基材的另一主面上且厚度比形成在上述一个主面上的导电层薄的导电层;
将形成在上述一个主面上的导电层的规定区域除去来形成规定图案的第一导电层的工序;
从上述一个主面侧照射激光或者使用蚀刻液来将上述绝缘性基材的与上述规定区域对应的区域除去的工序;
利用蚀刻抗蚀剂覆盖形成在上述绝缘性基材的上述另一主面上的导电层的表面的工序;以及
使蚀刻液从除去了上述规定区域的上述基材的上述一个主面侧起作用来将形成在上述另一主面上的导电层中的与上述规定区域对应的区域除去的工序。
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