[发明专利]电压电平移位自时控写入协助

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一及第二全电压电平移位器，其经配置以分别接收第一电压域中的自时控真实与互补数据输入信号，并基于所述第一电压域中的所述自时控真实与互补数据输入信号而产生第二电压域中的相应电压电平移位自时控中间真实与互补信号；

第一及第二互补金属氧化物半导体CMOS电路，其经配置以基于所述电压电平移位自时控中间真实与互补信号而产生所述第二电压域中的电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号；以及

所述第二电压域中的箝位电路，其包括：

第一或非门，其以所述电压电平移位自时控中间真实信号及箝位信号作为输入，其中所述第一或非门的输出耦合到所述第二CMOS电路的第二n沟道MOS NMOS装置的栅极，且所述第一或非门的所述输出的反向耦合到所述第一CMOS电路的第一p沟道MOS PMOS装置的栅极；以及

第二或非门，其以所述电压电平移位自时控中间互补信号及所述箝位信号作为输入，其中所述第二或非门的输出耦合到所述第一CMOS电路的第一n沟道MOS NMOS装置的栅极，且所述第二或非门的所述输出的反向耦合到所述第二CMOS电路的第二p沟道MOS PMOS装置的栅极，

其中所述箝位电路经配置以在所述箝位信号为高时使所述电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号浮动。

2.根据权利要求1所述的设备，所述设备耦合到所述第二电压域中的存储器阵列。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二电压域中的所述电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号经配置以驱动用于对所述第二电压域中的所述存储器阵列中的存储器位单元进行写入的写入位线。

4.根据权利要求1所述的设备，其中在所述箝位信号为高时通过所述箝位电路防止所述第一及第二全电压电平移位器中的瞬态开路电流。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述自时控真实与互补数据输入信号基于数据输入信号及系统时钟。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述自时控真实与互补数据输入信号是由项目锁存器或时钟门控锁存器产生。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述自时控真实与互补数据输入信号为归零RTZ或自复位信号。

8.根据权利要求1所述的设备，其经整合到选自由以下各者组成的群组的装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元、移动电话以及计算机。

9.一种操作电路的方法，所述方法包括

通过第一电压域中的所述电路接收自时控真实与互补数据输入信号；

使用第一及第二全电压电平移位器分别由所述第一电压域中的所述自时控真实与互补数据输入信号产生第二电压域中的电压电平移位自时控中间真实与互补信号；

使用第一及第二互补金属氧化物半导体CMOS电路分别由所述电压电平移位自时控中间真实与互补信号产生所述第二电压域中的电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号；以及

在耦合到箝位电路的箝位信号为高时使所述电压电平移位自时控三态化真实与互补输出信号浮动，其中所述箝位电路包括：

第一或非门，其以所述电压电平移位自时控中间真实信号及箝位信号作为输入，其中所述第一或非门的输出耦合到所述第二CMOS电路的第二n沟道MOS NMOS装置的栅极，且所述第一或非门的所述输出的反向耦合到所述第一CMOS电路的第一p沟道MOS PMOS装置的栅极；以及

第二或非门，其以所述电压电平移位自时控中间互补信号及所述箝位信号作为输入，其中所述第二或非门的输出耦合到所述第一CMOS电路的第一n沟道MOS NMOS装置的栅极，且所述第二或非门的所述输出的反向耦合到所述第二CMOS电路的第二p沟道MOS PMOS装置的栅极。