[发明专利]基板搬送方法和处理系统有效
申请号: | 201580050468.4 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN106716617B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 近藤圭祐 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/3065 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板搬送 方法 处理 系统 | ||
提供一种基板搬送方法,使用具有第一拾取器和第二拾取器的搬送机构在热处理室与不同于该热处理室的其他室之间依次搬送基板,所述基板搬送方法包括:第一步骤,将未处理的基板保持在所述第一拾取器上,搬送至所述热处理室;第二步骤,将在所述热处理室中热处理过的处理后基板保持在所述第二拾取器上并将所述第一拾取器所保持的未处理的基板搬入所述热处理室;第三步骤,将保持在所述第二拾取器上的处理后基板搬送至所述其他室;和第四步骤,将所述其他室内的未处理的基板保持在所述第一拾取器中,在将所述第二拾取器所保持的处理后基板搬入到所述其他室之后,使所述第一拾取器和所述第二拾取器均成为未保持基板的状态。
技术领域
本发明涉及基板搬送方法和处理系统。
背景技术
已知通过对半导体晶片(以下称作“晶片”。)依次执行各种薄膜的处理(例如成膜处理、改性处理、热处理、蚀刻处理等)而在晶片上形成多层结构的薄膜的半导体器件的制造步骤。
这样的半导体器件的制造例如能够通过将多个处理室与一个公用搬送室连结,连续进行多个处理的集群结构的处理系统来实现。在这种结构的处理系统中,提出了为了在各处理室中处理晶片将晶片依次搬送到各处理室的搬送方法(例如参照专利文献1)。
为了在各处理室中连续且高效地执行必要的处理,优选高效地搬送晶片。于是,在上述处理系统中,有时为了高效地搬送多个晶片而使用具有两个臂的搬送机器人。搬送机器人的两个臂各自设置有保持晶片的拾取器。其中一个拾取器保持未实施处理的未处理晶片,将其搬送至处理室。另一个拾取器在处理室中保持被实施了规定处理的处理后晶片,并将其搬送至下一个处理室。像这样,通过设置在搬送机器人上的两个拾取器分别保持晶片,能够与利用具有一个臂的搬送机器人搬送晶片的情况相比,更高效地搬送晶片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-119635号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而,从对晶片实施热处理的热处理室搬出的处理后晶片处于高温。因此,为了保持从热处理室搬出的处理后晶片,两个臂(包括拾取器)需要由能耐高温的材料构成。
特别是,当一个臂与另一个臂的作用固定时,施加于一个臂的热量与施加于另一个臂的热量不同。例如,考虑如下的情况,固定各臂的作用,使一个臂搬送处理前的晶片(以下称作未处理晶片),另一个臂搬送处理后的晶片(以下称作处理后晶片)。此时,搬送处理后晶片的臂的温度的峰值比搬送未处理晶片的臂的温度的峰值高。结果是,无法将搬送晶片时所受的热量分散到两个臂,搬送处理后晶片的臂的劣化比搬送未处理晶片的臂的劣化快。
针对这种问题,在一个方面,本发明的目的在于在搬送基板时降低臂的温度峰值。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题,根据一个方式,提供一种基板搬送方法,利用具有第一拾取器和第二拾取器的搬送机构在热处理室与不同于该热处理室的其他室之间依次搬送基板,所述基板搬送方法的特征在于,包括:第一步骤,将未处理的基板保持在所述第一拾取器上,搬送至所述热处理室;第二步骤,将在所述热处理室中被热处理过的处理后基板保持在所述第二拾取器上,将其从所述热处理室搬出,并且将所述第一拾取器所保持的未处理的基板搬入所述热处理室;第三步骤,将保持在所述第二拾取器上的处理后基板搬送至所述其他室;和第四步骤,将所述其他室内的未处理的基板保持在所述第一拾取器中,在将所述第二拾取器所保持的处理后基板搬入到所述其他室之后,使所述第一拾取器和所述第二拾取器均成为未保持基板的状态。
发明效果
根据一个方面,在搬送基板时能够降低臂的温度峰值。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造