[发明专利]过程窗口识别符

说明书

本公开是计算机执行的方法，用于为器件制造过程确定设计布局的一部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)，所述器件制造过程用于在衬底上成像所述部分，所述方法包括：获得所述感兴趣的区域中的多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数的多个值；确定所述器件制造过程在所述多个值中的每一个值的条件下成像所述多个特征时缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者；以及根据所述缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者，确定所述感兴趣的区域的所述重叠过程窗口。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年9月22日递交的美国申请62/053,629的优先权，并且通过引用将其全部内容并入到本文中。

技术领域

本发明涉及用于优化半导体制造过程的性能的方法。所述方法可以与光刻设备结合使用。

背景技术

光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与所述IC(“设计布局”)的单层相对应的电路图案，并且利用诸如通过图案形成装置上的电路图案照射目标部分等方法可以将该电路图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上，其中所述衬底已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个的衬底包含通过光刻设备连续地将电路图案转移至其上的多个相邻目标部分，一次处理一个目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置上的电路图案一次转移到一个目标部分上，这种设备通常称为晶片步进机。在可替换的设备中(通常称为步进-扫描设备)，投影束沿着给定的参考方向(“扫描”方向)扫描通过图案形成装置，同时沿与该参考方向平行或反向平行的方向同步移动所述衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分逐步地被转移至一个目标部分。通常，由于光刻设备将具有放大因子M(通常＜1)，因此衬底移动的速度F将是因子M乘以投影束扫描图案形成装置的速度。与文中所述的光刻装置相关的更多信息可以例如在US6,046,792中获知，在此通过引用并入本文中。

在从图案形成装置将电路图案转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底漆、抗蚀剂涂覆和软烘焙等等。在曝光之后，衬底可能经历其他工序，诸如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙和被转移的电路图案的测量/检查等等。这一系列工序被用作制造器件(例如IC)的单层的基础。之后，衬底可能经历各种处理/过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等等，所有这些处理/过程旨在完成器件的单个层。如果在器件中需要几个层，则整个工序或者其变体对应每个层被重复。最终，器件将呈现在衬底上的每个目标部分中。之后，这些器件通过诸如划片或切割等技术被彼此分开，由此单个的器件可以安装在载体上、连接至引脚等等。

应该指出的是，微光刻术是IC制造中的中心步骤，在该步骤处形成在衬底上的图案限定IC的功能元件，诸如微处理器、存储芯片等等。类似的光刻技术也可以用于平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他装置的形成过程中。

发明内容

文中公开的是计算机执行的用于确定设计布局的一部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)的方法，所述方法用于将所述设计布局的一部分成像到衬底上的器件制造过程中，所述方法包括：

在所述感兴趣的区域中获得多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数的多个值；在所述多个值中的每个值处通过所述器件制造过程成像所述多个特征时，确定缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者确定两者；和根据缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者两者确定所述感兴趣的区域的OPW。

附图说明

在此仅仅以示例的方式参照示意性附图对实施例进行描述，其中相应的附图标记指示相应的部件，并且在附图中：

图1示出根据一实施例的光刻设备；

图2示出过程窗口限制图案(PWLP)的概念；

图3示出根据一实施例的用于确定感兴趣的区域的OPW的方法的流程图；