[发明专利]用于运行电路装置的方法有效
申请号: | 201580051371.5 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN106716821B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | S.弗里德里希;S.迪罗尔夫 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H02P29/02 | 分类号: | H02P29/02 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢江;杜荔南 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 运行 电路 装置 方法 | ||
1.用于运行具有用于至少三个相的至少三个控制级的电路装置(2)的方法,其中每个控制级具有高侧开关(10a、10b、10c)和低侧开关(12a、12b、12c),其中高侧开关(10a、10b、10c)和低侧开关(12a、12b、12c)中的每个能够置于导电状态和不导电状态,所述方法具有以下步骤:
确定影响高侧开关(10a、10b、10c)和/或低侧开关(12a、12b、12c)的温度的参量,
根据影响温度的参量按组地或者选择高侧开关(10a、10b、10c)或者选择低侧开关(12a、12b、12c),
在空转相中控制所选择的高侧开关(10a、10b、10c)或低侧开关(12a、12b、12c),使得所选择的高侧开关(10a、10b、10c)或低侧开关(12a、12b、12c)在空转相期间形成空转,
其中高侧开关(10a、10b、10c)布置在半导体部件的中间区段(18)中并且低侧开关(12a、12b、12c)布置在半导体部件(16)的边缘区段(20)中,使得高侧开关比低侧开关具有更好的与半导体部件的冷却连接,并且其中所述边缘区段和所述中间区段在半导体部件上彼此分离。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在空转相期间,形成空转的所选择的高侧开关(10a、10b、10c)或低侧开关(12a、12b、12c)处于导通状态并且其他高侧开关(10a、10b、10c)或低侧开关(12a、12b、12c)处于不导通状态。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中作为影响温度的参量来确定高侧开关(10a、10b、10c)和/或低侧开关(12a、12b、12c)的损耗功率、电流和/或温度。
4.根据上述权利要求1至2之一所述的方法,其中在按组的选择中,影响温度的参量与温度极限值进行比较,并且根据温度极限值的超出,选择不超出温度极限值的高侧开关(10a、10b、10c)或低侧开关(12a、12b、12c)。
5.根据上述权利要求1至2之一所述的方法,其中确定高侧开关(10a、10b、10c)和低侧开关(12a、12b、12c)的影响温度的参量,并且选择具有更小的影响温度的参量的高侧开关(10a、10b、10c)或低侧开关(12a、12b、12c)。
6.一种计算单元,其被设立用于执行根据上述权利要求1至5之一所述的方法。
7.机械可读的存储介质,其具有存储在其上的计算机程序,所述计算机程序促使计算单元用于当所述计算机程序在所述计算单元上实施时执行根据权利要求1至5之一所述的方法。
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