[发明专利]在两个陶瓷部件之间产生连接的方法

权利要求书

1.一种用于在两个陶瓷部件的两个表面或表面段之间产生连接的方法，包括：

提供(110)第一陶瓷部件和第二陶瓷部件；

在至少一个陶瓷部件的至少一个表面段上提供(130)活性钎焊料材料；并且

在真空钎焊工艺或惰性气体下的钎焊工艺中加热所述活性钎焊料，

其中，用于连接第一和第二陶瓷部件的活性钎焊料材料整体通过溅射方法(130)以层序被提供，

其中，至少一个陶瓷部件的至少一个表面段利用所述活性钎焊料材料的单个组分的层序(131，132，133)形成分层，

其中，所述活性钎焊料的单个组分的层的平均厚度不超过接合区厚度的0.5％，

其中，组分的层的平均层厚和/或它们的频度为合金中组分的比例的函数，

其中，所述组分分别由各自排他性地包括所述组分的材料的纯溅射靶溅射。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，两个陶瓷部件的至少一个表面段利用所述活性钎焊料材料的单个组分的层序(131，132，133)形成分层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述活性钎焊料的单个组分的层的平均厚度不超过接合区厚度的0.2％。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述活性钎焊料的单个组分的层的平均厚度不超过接合区厚度的0.1％。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述活性钎焊料的单个组分的层的平均厚度不超过接合区厚度的0.05％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合区中的活性钎焊料厚度不超过20微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合区中的活性钎焊料厚度不超过15微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合区中的活性钎焊料厚度不超过12微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合区中的活性钎焊料厚度不超过10微米。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组分的单个层厚度不超过10纳米。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组分的单个层厚度不超过5纳米。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组分的单个层厚度不超过2纳米。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组分的单个层厚度不超过1纳米。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组分的层的平均层厚与合金中组分的比例成正比。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单个层的厚度作为单个组分的沉积速率的函数通过分层时间加以控制。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单个组分的沉积速率分别采用石英晶体微天平加以监控。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述活性钎焊料的组分的第一成分的第一层序首先被沉积在至少一个表面上，

其中活性钎焊料的组分的第二成分的第二层序跟在第一层序后，

其中，第一成分的熔点比第二成分的熔点低不小于100K。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二成分的热膨胀系数与陶瓷材料的热膨胀系数的差比所述第一成分的热膨胀系数与陶瓷材料的热膨胀系数的差小。

19.根据权利要求17或18所述的方法，其中所述第一层序的厚度不超过所述接合区厚度的10％。