[发明专利]有机硅多孔体及有机硅多孔体的制造方法在审
申请号: | 201580052934.2 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN106715555A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 松尾直之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C08J9/36 | 分类号: | C08J9/36 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机硅 多孔 制造 方法 | ||
1.一种有机硅多孔体,其为具有连通的气孔和形成所述气孔的三维网状的有机硅骨架的有机硅多孔体,
所述有机硅骨架是通过二官能的烷氧基硅烷与三官能的烷氧基硅烷的共聚而形成的骨架,
所述有机硅骨架中的未反应部分的比例为10mol%以下。
2.根据权利要求1所述的有机硅多孔体,其中,在试验温度150℃下的50%压缩永久变形为5%以下。
3.根据权利要求1或2所述的有机硅多孔体,其中,在试验温度250℃下的50%压缩永久变形为10%以下。
4.一种有机硅多孔体的制造方法,其为权利要求1~3中任一项所述的有机硅多孔体的制造方法,所述制造方法具备如下工序:
有机硅多孔体形成工序:通过伴随相分离的溶胶-凝胶反应而使二官能的烷氧基硅烷与三官能的烷氧基硅烷共聚,从而形成具有连通的气孔和形成所述气孔的三维网状的有机硅骨架的有机硅多孔体,
加热处理工序:对所述有机硅多孔体在低于其热解开始温度的温度下进行加热处理。
5.根据权利要求4所述的有机硅多孔体的制造方法,其中,在100~320℃下进行所述加热处理。
6.根据权利要求5所述的有机硅多孔体的制造方法,其中,在150~300℃下进行所述加热处理。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的有机硅多孔体的制造方法,其中,进行8~120小时所述加热处理。
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