[发明专利]支承玻璃基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201580053414.3 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107074610A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 片山裕贵 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03B29/06 | 分类号： | C03B29/06;C03B17/06;C03C19/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支承 玻璃 及其 制造 方法 | ||
1.一种支承玻璃基板，其特征在于，其在从室温以5℃/分钟的速度升温至400℃并在400℃保持5小时后，再以5℃/分钟的速度降温至室温时，热收缩率为20ppm以下。
2.根据权利要求1所述的支承玻璃基板，其特征在于，其翘曲量为40μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，其整体板厚偏差不足2.0μm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其翘曲量为不足20μm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其表面的全部或一部分为研磨面。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其利用溢流下拉法成形而成。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其杨氏模量为65GPa以上。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其外形为晶片形状。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其在半导体封装体的制造工序中用于支承加工基板。
10.一种层叠体，其特征在于，其是至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体，其中，支承玻璃基板为权利要求1～9中任一项所述的支承玻璃基板。
11.一种支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括：
将玻璃原板切割而得到支承玻璃基板的工序；和
将所得的支承玻璃基板加热到(支承玻璃基板的退火点)以上的温度的工序。
12.根据权利要求11所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其按照在从室温以5℃/分钟的速度升温至400℃并在400℃保持5小时后，再以5℃/分钟的速度降温至室温时，热收缩率达到20ppm以下的方式进行加热。
13.根据权利要求11或12所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其以使翘曲量达到40μm以下的方式进行加热。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的支承玻璃基板的制造方法，其特征在于，其利用溢流下拉法成形玻璃原板。
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