[发明专利]支承玻璃基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及支承玻璃基板及其制造方法，具体而言，涉及在半导体封装体的制造工序中用于支承加工基板的支承玻璃基板及其制造方法。

背景技术

对于便携电话、笔记本电脑、PDA(Personal Data Assistance)等便携型电子设备，要求小型化及轻量化。与此相伴随，这些电子设备中使用的半导体芯片的安装空间也受到严格限制，半导体芯片的高密度安装成为课题。因此，近年来，通过三维安装技术、即将半导体芯片彼此层叠、对各半导体芯片间进行布线连接，来谋求半导体封装体的高密度安装。

另外，现有的晶片水平封装体(WLP)是如下制作的：以晶片的状态形成凸块后，通过切片而单片化。但是，现有的WLP存在如下问题：不仅引脚数难以增加，而且由于以半导体芯片的背面露出的状态进行安装，因此容易产生半导体芯片的缺口等。

因此，作为新的WLP，提出了fan－out型的WLP。fan－out型的WLP能够使引脚数增加，并且通过保护半导体芯片的端部，从而可以防止半导体芯片的缺口等。

fan－out型的WLP中，将多个半导体芯片用树脂密封材料进行密封而形成加工基板后，具有在加工基板的一个表面进行布线的工序、形成焊料凸块的工序等。

这些工序由于伴随有约300℃的热处理，因此有密封材料变形而使加工基板发生尺寸变化之担忧。若加工基板发生尺寸变化，则难以对加工基板的一个表面进行高密度布线，另外，也难以正确地形成焊料凸块。

发明内容

发明要解决的课题

为了抑制加工基板的尺寸变化，使用玻璃基板作为支承基板是有效的。玻璃基板容易使表面平滑化且具有刚性。因此，若使用玻璃基板，则可以牢固且准确地支承加工基板。另外，玻璃基板不易透过紫外光等光。因此，若使用玻璃基板，则可通过设置粘接层等而容易将加工基板和玻璃基板固定。另外，还可以通过设置剥离层等而容易将加工基板和玻璃基板分离。

但是，即使在使用支承玻璃基板的情况下，有时对于加工基板的一个表面也难以进行高密度地布线。

本发明是鉴于上述情况而完成的发明，其技术课题在于通过发明出适合支承供于高密度布线的加工基板的支承玻璃基板及其制造方法而有助于半导体封装体的高密度化。

用于解决课题的手段

本发明人等反复进行了各种实验，结果发现：通过着眼于有时因半导体封装体的制造工序中的约300℃的热处理而使支承玻璃基板发生轻微的热变形，而该轻微的热变形给在加工基板中的布线精度带来不良影响，并且将支承玻璃基板的热收缩量降低至规定值以下，从而可以解决上述技术课题。由此提出了本发明。即，本发明的支承玻璃基板，其特征在于，其在从室温以5℃/分钟的速度升温至400℃并在400℃保持5小时后，再以5℃/分钟的速度降温至室温时，热收缩率为20ppm以下。在此，“热收缩率”可以按照以下的方法来测定。首先，准备160mm×30mm的条状试样作为测定用试样(图1(a))。在距离该条状试样G3的长边方向的端部20～40mm附近用#1000的耐水研磨纸进行标记，沿与标记正交的方向折断，得到试验片G31、G32(图1(b))。仅将折断后的试验片G31在规定条件下进行热处理后，用胶带T将未进行热处理的试样片G31和进行过热处理的试样片G32并排地固定(图1(c))，利用激光显微镜读取标记的位置偏移量(△L1、△L2)，利用下述数式1计算热收缩率。

【数1】

热收缩率[ppm]＝(△L1[μm]+△L2[μm])/160×10^-3

予以说明，如上述所示，半导体封装体的制造工序中的热处理温度为约300℃，但是难以利用300℃的热处理来评价支承玻璃基板的热收缩率。因此，在本发明中，在400℃5小时的热处理条件下评价支承玻璃基板的热收缩率，并认为在该评价中得到的热收缩率与半导体封装体的制造工序中的支承玻璃基板的热收缩的倾向相关。

第二，本发明的支承玻璃基板的翘曲量优选为40μm以下。在此，“翘曲量”是指支承玻璃基板整体中的最高位点和最小二乘焦点面之间的最大距离的绝对值与最低位点和最小二乘焦点面的绝对值之和，可以通过例如KOBELCO科研公司制的SBW－331ML/d来测定。