[发明专利]用于器件的覆盖物及用于制造用于器件的覆盖物的方法有效
申请号: | 201580053522.0 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN106715326B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 安斯加尔·朔伊费勒 | 申请(专利权)人: | 追踪有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;李兴斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 器件 覆盖 制造 方法 | ||
说明了一种用于电子器件(例如MEMS、BAW或SAW类型)的覆盖物。所述覆盖物包括至少一个层(5、6、7),所述层具有带多个凸部(8、9、15)和/或凹部(10、11、16)的结构化部分(19、20、21)。此外,还提出用于制造这种覆盖物(1)的方法。
本发明提出一种用于器件的覆盖物。例如,器件具有构造成MEMS(微机电系统)结构、BAW结构或SAW结构的器件结构。特别地,由配设有覆盖物的结构提供封包形式的器件。优选地,覆盖物通过薄膜技术制成。此外,还提出用于制造这种覆盖物的方法。
电气器件的覆盖物例如用于使器件结构免受机械和/或化学影响。此外,由覆盖物构成器件结构的限定空腔。由公开文献DE 10 2011 103 516 A1已知一种用于制造覆盖物的方法。
本发明的目的是,提供改善的覆盖物以及用于制造改善的用于器件结构的覆盖物的方法。
根据本发明的第一个方面,提出一种用于器件的覆盖物。所述覆盖物优选以薄膜技术制成。例如,所述器件具有需要覆盖的器件结构。在此,例如是滤波器结构和/或双工器结构。特别地,可能是一个或多个谐振器,例如级联的谐振器。
所述覆盖物优选地包括面向于所述器件结构的下侧以及背向于所述器件结构的上侧。所述器件的外部空间连接所述上侧。例如,所述器件结构和所述覆盖物被布置于载体衬底上。有鉴于此,所述下侧是所述覆盖物面向于所述载体衬底的一侧,并且所述上侧是背向于所述载体衬底的一侧。所述覆盖物例如限定空腔。所述下侧优选地直接连接所述空腔。
所述覆盖物包括至少一个具有结构化部分的层。特别地,该层具有多个凸部和/或凹部。例如,所述凸部和/或凹部被布置成规则结构。
优选地,通过这种结构化部分提高了所述覆盖物的机械稳定性。这例如能够扩大所述覆盖物的基面。此外,这种稳定的覆盖物还允许在高喷射压力下涂覆其他灌封填料。此外,所述覆盖物能够实现较小的厚度。这尤其能够节约成本。此外,覆盖物的厚度过大会导致不理想的晶片翘曲。
在一种实施方式中,所述凸部和/或凹部被构造于所述覆盖物的一层的上侧以及下侧。在此情形下,该层的厚度在例如该层的整个片面上恒定。一层的下侧和上侧和整个覆盖物的下侧和上侧相对应,均以器件结构或载体衬底的方位位准。
在一种实施方式中,所述凸部和/或凹部仅被构造于所述层的上侧或者仅被构造于所述层的下侧。所述层的厚度例如在所述凸部的位置的厚度不同于所述层在其他位置的厚度。例如,所述层在凸部的位置比在其他位置更厚。所述层在凹部的位置例如比在其他位置更薄。
在一种实施方式中,所述凸部和/或凹部具有微长形状。特别地,在所述覆盖物的俯视图中,所述凸部和/或凹部被构造成在一个方向上明显比与之垂直的方向上更长。优选地,所述凸部和/或凹部沿同一方向延伸。例如,所述凸部以规则的间隔布置于与纵向垂直的方向上。在一种实施方式中,所述层具有波形。所述凸部特别能够使得所述层呈波浪状或槽纹状表面结构。
在一种实施方式中,该层在横截面上具有正弦形的外轮廓。在另一种实施方式中,所述外轮廓呈梯形或三角形。所述凸部例如被构造成锯齿形或具有平截尖端的锯齿形。
所述结构化部分还可能既不构造成槽纹形也不构造成波形。例如,所述结构化部分被构造成类似于蛋品包装盒中的结构。
在一种实施方式中,所述覆盖物具有多个上下重叠布置的层。在此情形下,在这些层的至少一层中构造所述结构化部分。例如,所述覆盖物具有最下层和最上层。在此情形下,所述最下层的下侧构成所述覆盖物的下侧。所述最上层的上侧构成所述覆盖物的上侧。
在一种实施方式中,所述覆盖物具有最下层、至少一个中间层以及最上层。有鉴于此,所述覆盖物被构造成至少三层结构。在所述最上层与所述最下层之间还可以布置有多个中间层。所述中间层例如构成支撑层。例如,所述中间层的材料与所述最上层和最下层相比具有相对较低的固有刚度。例如,所述最下层具有二氧化硅,所述中间层具有聚合物,并且所述最上层具有氮化硅。
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